ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1608V-5110-B-T1

RG1608V-5110-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7160

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-5491-C-T10

RG1005P-5491-C-T10

ნაწილი საფონდო: 7033

წინააღმდეგობა: 5.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-3010-C-T10

RG1005P-3010-C-T10

ნაწილი საფონდო: 4756

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-7152-C-T10

RG1005N-7152-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6768

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-59R0-B-T1

RG1608N-59R0-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7272

წინააღმდეგობა: 59 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-3570-B-T1

RG1608N-3570-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7255

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-4641-C-T10

RG1005N-4641-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6745

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1872-C-T10

RG1005P-1872-C-T10

ნაწილი საფონდო: 7028

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2672-C-T10

RG1005P-2672-C-T10

ნაწილი საფონდო: 7055

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1652-C-T10

RG1005N-1652-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6726

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-3321-B-T1

RG1608N-3321-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7364

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2433-B-T1

RG1608N-2433-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7448

წინააღმდეგობა: 243 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1371-B-T1

RG1608N-1371-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7273

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-3572-C-T10

RG1005N-3572-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6741

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-3320-B-T1

RG1608N-3320-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7325

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-7321-C-T10

RG1005N-7321-C-T10

ნაწილი საფონდო: 4705

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-7682-C-T10

RG1005P-7682-C-T10

ნაწილი საფონდო: 7074

წინააღმდეგობა: 76.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1070-C-T10

RG1005P-1070-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6944

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2052-C-T10

RG1005N-2052-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6755

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2432-C-T10

RG1005N-2432-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6770

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-3240-B-T1

RG1608V-3240-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7103

წინააღმდეგობა: 324 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1052-C-T10

RG1005P-1052-C-T10

ნაწილი საფონდო: 7047

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-6811-C-T10

RG1005N-6811-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6703

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-7151-C-T10

RG1005P-7151-C-T10

ნაწილი საფონდო: 7028

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-1651-B-T1

RG1608V-1651-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7147

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1132-C-T10

RG1005P-1132-C-T10

ნაწილი საფონდო: 7029

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1241-B-T1

RG1608N-1241-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7348

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-7872-C-T10

RG1005N-7872-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6847

წინააღმდეგობა: 78.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-5232-C-T10

RG1005N-5232-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6794

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-3830-B-T1

RG1608N-3830-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7256

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-5621-B-T1

RG1608N-5621-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7307

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-4531-C-T10

RG1005N-4531-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6724

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-563-C-T10

RG1005P-563-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6897

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2551-B-T1

RG1608N-2551-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7326

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-5901-B-T1

RG1608N-5901-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7334

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1331-C-T10

RG1005P-1331-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6942

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი