ფიქსირებული ინდუქტორები

AISC-1008-5R6G-T

AISC-1008-5R6G-T

ნაწილი საფონდო: 163554

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
AISC-1008-R75G-T

AISC-1008-R75G-T

ნაწილი საფონდო: 139567

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 750nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
AISC-1008-R068G-T

AISC-1008-R068G-T

ნაწილი საფონდო: 166648

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008-R047G-T

AISC-1008-R047G-T

ნაწილი საფონდო: 164482

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008-R039G-T

AISC-1008-R039G-T

ნაწილი საფონდო: 124341

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008F-3R9G-T

AISC-1008F-3R9G-T

ნაწილი საფონდო: 110789

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,

სასურველი
AISC-1008-R22G-T

AISC-1008-R22G-T

ნაწილი საფონდო: 129934

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
AISC-1008HQ-22NJ-T

AISC-1008HQ-22NJ-T

ნაწილი საფონდო: 132646

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
AISC-1008HQ-33NJ-T

AISC-1008HQ-33NJ-T

ნაწილი საფონდო: 183392

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
AISC-1008HQ-56NJ-T

AISC-1008HQ-56NJ-T

ნაწილი საფონდო: 183557

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
AISC-1008HQ-68NJ-T

AISC-1008HQ-68NJ-T

ნაწილი საფონდო: 199787

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008HQ-47NJ-T

AISC-1008HQ-47NJ-T

ნაწილი საფონდო: 159109

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
AISC-1008HQ-82NJ-T

AISC-1008HQ-82NJ-T

ნაწილი საფონდო: 100768

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008HQ-10NJ-T

AISC-1008HQ-10NJ-T

ნაწილი საფონდო: 159163

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
AISC-1008HQ-3N0J-T

AISC-1008HQ-3N0J-T

ნაწილი საფონდო: 154774

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
AISC-1008HQ-R10J-T

AISC-1008HQ-R10J-T

ნაწილი საფონდო: 149638

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008HQ-18NJ-T

AISC-1008HQ-18NJ-T

ნაწილი საფონდო: 161775

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
AISC-1008HQ-7N8J-T

AISC-1008HQ-7N8J-T

ნაწილი საფონდო: 103218

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
AISC-1008HQ-39NJ-T

AISC-1008HQ-39NJ-T

ნაწილი საფონდო: 193515

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
AISC-1008HQ-12NJ-T

AISC-1008HQ-12NJ-T

ნაწილი საფონდო: 170608

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
ASMPH-0806-3R3M-T

ASMPH-0806-3R3M-T

ნაწილი საფონდო: 191788

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 330mA,

სასურველი
AIAP-01-470K-T

AIAP-01-470K-T

ნაწილი საფონდო: 190081

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA,

სასურველი
AIAP-01-152K-T

AIAP-01-152K-T

ნაწილი საფონდო: 113587

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
ASMPH-1008-4R7M-T

ASMPH-1008-4R7M-T

ნაწილი საფონდო: 168689

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,

სასურველი
ASMPH-1008-R47M-T

ASMPH-1008-R47M-T

ნაწილი საფონდო: 180121

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,

სასურველი
ASMPH-1008-1R5M-T

ASMPH-1008-1R5M-T

ნაწილი საფონდო: 137619

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
ASMPH-0806-1R5M-T

ASMPH-0806-1R5M-T

ნაწილი საფონდო: 165002

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,

სასურველი
AIAP-01-270K-T

AIAP-01-270K-T

ნაწილი საფონდო: 122570

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,

სასურველი
AIAP-01-2R7K-T

AIAP-01-2R7K-T

ნაწილი საფონდო: 149732

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,

სასურველი
ASMPH-0806-1R0M-T

ASMPH-0806-1R0M-T

ნაწილი საფონდო: 129030

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
AIAP-01-820K-T

AIAP-01-820K-T

ნაწილი საფონდო: 118055

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
AIAP-01-182K-T

AIAP-01-182K-T

ნაწილი საფონდო: 156455

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
AIAP-01-222K-T

AIAP-01-222K-T

ნაწილი საფონდო: 186882

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
AIAP-01-1R2K-T

AIAP-01-1R2K-T

ნაწილი საფონდო: 127769

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A,

სასურველი
ASMPH-0806-4R7M-T

ASMPH-0806-4R7M-T

ნაწილი საფონდო: 181878

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 220mA,

სასურველი
AIAP-01-562K-T

AIAP-01-562K-T

ნაწილი საფონდო: 135219

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 63mA,

სასურველი