ფიქსირებული ინდუქტორები

AISC-0805HQ-27NJ-T

AISC-0805HQ-27NJ-T

ნაწილი საფონდო: 199616

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
AISC-0805HQ-18NJ-T

AISC-0805HQ-18NJ-T

ნაწილი საფონდო: 161900

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
AISC-0805HQ-22NJ-T

AISC-0805HQ-22NJ-T

ნაწილი საფონდო: 111083

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
AISC-0805F-1R0J-T

AISC-0805F-1R0J-T

ნაწილი საფონდო: 161333

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 245mA,

სასურველი
AISC-1210HS-3R3K-T2

AISC-1210HS-3R3K-T2

ნაწილი საფონდო: 159071

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,

სასურველი
AISC-1210HS-8R2K-T2

AISC-1210HS-8R2K-T2

ნაწილი საფონდო: 192770

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 480mA,

სასურველი
AISC-1210HS-100K-T2

AISC-1210HS-100K-T2

ნაწილი საფონდო: 197963

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,

სასურველი
AISC-0805F-1R0G-T

AISC-0805F-1R0G-T

ნაწილი საფონდო: 137003

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 245mA,

სასურველი
ASMPH-1008-1R0M-T

ASMPH-1008-1R0M-T

ნაწილი საფონდო: 183973

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
AIAP-01-331K-T

AIAP-01-331K-T

ნაწილი საფონდო: 168316

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
AIAP-01-1R0K-T

AIAP-01-1R0K-T

ნაწილი საფონდო: 163642

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A,

სასურველი
AIAP-01-8R2K-T

AIAP-01-8R2K-T

ნაწილი საფონდო: 145878

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
AIAP-01-151K-T

AIAP-01-151K-T

ნაწილი საფონდო: 117533

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,

სასურველი
AIAP-01-103K-T

AIAP-01-103K-T

ნაწილი საფონდო: 136023

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 52mA,

სასურველი
ASMPH-0806-2R2M-T

ASMPH-0806-2R2M-T

ნაწილი საფონდო: 197730

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,

სასურველი
AIAP-01-330K-T

AIAP-01-330K-T

ნაწილი საფონდო: 182004

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 910mA,

სასურველი
AIAP-01-121K-T

AIAP-01-121K-T

ნაწილი საფონდო: 158432

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,

სასურველი
AIAP-01-471K-T

AIAP-01-471K-T

ნაწილი საფონდო: 131703

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
ASMPH-1008-3R3M-T

ASMPH-1008-3R3M-T

ნაწილი საფონდო: 164216

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,

სასურველი
AISC-1008-R91G-T

AISC-1008-R91G-T

ნაწილი საფონდო: 136790

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 910nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
AISC-1008-R27G-T

AISC-1008-R27G-T

ნაწილი საფონდო: 123575

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
AISC-1008-R056G-T

AISC-1008-R056G-T

ნაწილი საფონდო: 158329

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008-R39G-T

AISC-1008-R39G-T

ნაწილი საფონდო: 142840

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,

სასურველი
AISC-1008-R10G-T

AISC-1008-R10G-T

ნაწილი საფონდო: 108383

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
AISC-1008-R027G-T

AISC-1008-R027G-T

ნაწილი საფონდო: 119121

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008F-1R5G-T

AISC-1008F-1R5G-T

ნაწილი საფონდო: 196266

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,

სასურველი
AISC-1008-R15G-T

AISC-1008-R15G-T

ნაწილი საფონდო: 146483

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
AISC-1008-R68G-T

AISC-1008-R68G-T

ნაწილი საფონდო: 144968

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
AISC-1008-R47G-T

AISC-1008-R47G-T

ნაწილი საფონდო: 136404

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,

სასურველი
AISC-1008-R033G-T

AISC-1008-R033G-T

ნაწილი საფონდო: 178573

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008-R56G-T

AISC-1008-R56G-T

ნაწილი საფონდო: 173328

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
AISC-1008-R33G-T

AISC-1008-R33G-T

ნაწილი საფონდო: 125868

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
AISC-1008-R18G-T

AISC-1008-R18G-T

ნაწილი საფონდო: 157518

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,

სასურველი
AISC-1008-R62G-T

AISC-1008-R62G-T

ნაწილი საფონდო: 177473

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 620nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
AISC-1008-R082G-T

AISC-1008-R082G-T

ნაწილი საფონდო: 165947

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
AISC-1008-R82G-T

AISC-1008-R82G-T

ნაწილი საფონდო: 115009

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი