PMIC - კარიბჭის დრაივერები

LTC4444IMS8E-5#PBF

LTC4444IMS8E-5#PBF

ნაწილი საფონდო: 19702

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 13.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,

სასურველი
LTC1693-2IS8#PBF

LTC1693-2IS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 17911

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 13.2V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.7V, 2.2V,

სასურველი
LTC1982ES6#TRM

LTC1982ES6#TRM

ნაწილი საფონდო: 10364

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 1.8V ~ 5.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.6V, 1.4V,

სასურველი
LTC1156CSW#PBF

LTC1156CSW#PBF

ნაწილი საფონდო: 7670

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC4441EMSE#PBF

LTC4441EMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 19765

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.8V, 2V,

სასურველი
LTC4440AIMS8E-5#PBF

LTC4440AIMS8E-5#PBF

ნაწილი საფონდო: 17816

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.2V, 1.6V,

სასურველი
LTC7004MPMSE#PBF

LTC7004MPMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 5893

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 60V (Max),

სასურველი
LTC7004HMSE#PBF

LTC7004HMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 12488

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 60V (Max),

სასურველი
LTC7001MPMSE#TRPBF

LTC7001MPMSE#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 8451

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 15V,

სასურველი
LT1161CSW#PBF

LT1161CSW#PBF

ნაწილი საფონდო: 10267

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 48V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LT1160IS#PBF

LT1160IS#PBF

ნაწილი საფონდო: 10998

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC7001HMSE#TRPBF

LTC7001HMSE#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 19776

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 15V,

სასურველი
LTC1155IN8#PBF

LTC1155IN8#PBF

ნაწილი საფონდო: 9673

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC1155CS8#PBF

LTC1155CS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 11595

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC1156CN#PBF

LTC1156CN#PBF

ნაწილი საფონდო: 14507

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC1155IS8#PBF

LTC1155IS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 8953

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LT1160CN#PBF

LT1160CN#PBF

ნაწილი საფონდო: 24011

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC1163CS8#TRPBF

LTC1163CS8#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 23983

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 3, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 1.8V ~ 6V,

სასურველი
LTC7000EMSE-1#TRPBF

LTC7000EMSE-1#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 22808

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LTC1155CN8#PBF

LTC1155CN8#PBF

ნაწილი საფონდო: 12346

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC7000HMSE-1#TRPBF

LTC7000HMSE-1#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 18826

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LTC7000MPMSE-1#TRPBF

LTC7000MPMSE-1#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 8080

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LTC1255CN8#PBF

LTC1255CN8#PBF

ნაწილი საფონდო: 23934

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LT1160CS#TRPBF

LT1160CS#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 21788

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC1155CS8#TRPBF

LTC1155CS8#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 21804

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC7003HMSE#PBF

LTC7003HMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 11742

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 60V,

სასურველი
LTC1255IS8#TRPBF

LTC1255IS8#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 16986

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC7000EMSE-1#PBF

LTC7000EMSE-1#PBF

ნაწილი საფონდო: 13343

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LTC7000EMSE#PBF

LTC7000EMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 12459

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LTC1693-1IS8#PBF

LTC1693-1IS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 17951

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 13.2V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.7V, 2.2V,

სასურველი
LTC7000EMSE#TRPBF

LTC7000EMSE#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 21171

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LT1160IS#TRPBF

LT1160IS#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 18922

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LT1158ISW#PBF

LT1158ISW#PBF

ნაწილი საფონდო: 8762

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 30V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC7000HMSE-1#PBF

LTC7000HMSE-1#PBF

ნაწილი საფონდო: 11022

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LTC7003MPMSE#TRPBF

LTC7003MPMSE#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 8409

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 60V,

სასურველი
LTC1165CS8#PBF

LTC1165CS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 24825

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 3, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 1.8V ~ 6V,

სასურველი