PMIC - კარიბჭის დრაივერები

LTC4447IDD#PBF

LTC4447IDD#PBF

ნაწილი საფონდო: 7414

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 6.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 2.5V, 3V,

სასურველი
LT1162CN#PBF

LT1162CN#PBF

ნაწილი საფონდო: 2782

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC7003EMSE#PBF

LTC7003EMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 15491

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 60V,

სასურველი
LT1160IN#PBF

LT1160IN#PBF

ნაწილი საფონდო: 20566

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC3901EGN#PBF

LTC3901EGN#PBF

ნაწილი საფონდო: 13640

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 11V,

სასურველი
LTC3900MPS8#PBF

LTC3900MPS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 8489

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 11V,

სასურველი
LTC4444MPMS8E#PBF

LTC4444MPMS8E#PBF

ნაწილი საფონდო: 11737

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7.2V ~ 13.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,

სასურველი
LTC3900ES8#PBF

LTC3900ES8#PBF

ნაწილი საფონდო: 14286

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 11V,

სასურველი
LTC7000HMSE#TRPBF

LTC7000HMSE#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 17685

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LTC1255IS8#PBF

LTC1255IS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 9008

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC1157CS8#PBF

LTC1157CS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 15103

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.3V ~ 5V,

სასურველი
LTC4444EMS8E#PBF

LTC4444EMS8E#PBF

ნაწილი საფონდო: 21196

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7.2V ~ 13.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,

სასურველი
LT8672IMS#PBF

LT8672IMS#PBF

ნაწილი საფონდო: 198

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3V ~ 42V,

სასურველი
LT1161CN#PBF

LT1161CN#PBF

ნაწილი საფონდო: 11201

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 48V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC4444MPMS8E-5#PBF

LTC4444MPMS8E-5#PBF

ნაწილი საფონდო: 11727

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 13.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,

სასურველი
LTC4444IMS8E#PBF

LTC4444IMS8E#PBF

ნაწილი საფონდო: 19698

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7.2V ~ 13.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,

სასურველი
LT1158CSW#TRPBF

LT1158CSW#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 18708

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 30V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC4444MPMS8E-5#TRPBF

LTC4444MPMS8E-5#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 20040

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 13.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,

სასურველი
LTC4444MPMS8E#TRPBF

LTC4444MPMS8E#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 20008

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 7.2V ~ 13.5V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,

სასურველი
LT1162ISW#TRPBF

LT1162ISW#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 11244

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC7001IMSE#PBF

LTC7001IMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 13011

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 15V,

სასურველი
LTC7003IMSE#TRPBF

LTC7003IMSE#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 22394

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 60V,

სასურველი
LT1162CSW#PBF

LT1162CSW#PBF

ნაწილი საფონდო: 7535

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC4440IMS8E#PBF

LTC4440IMS8E#PBF

ნაწილი საფონდო: 105

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 8V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.3V, 1.6V,

სასურველი
LT1162ISW#PBF

LT1162ISW#PBF

ნაწილი საფონდო: 11485

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC4440AMPMS8E-5#PBF

LTC4440AMPMS8E-5#PBF

ნაწილი საფონდო: 6625

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.2V, 1.6V,

სასურველი
LT1336IN#PBF

LT1336IN#PBF

ნაწილი საფონდო: 11087

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LT1166CS8#PBF

LT1166CS8#PBF

ნაწილი საფონდო: 14654

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET,

სასურველი
LTC1255IN8#PBF

LTC1255IN8#PBF

ნაწილი საფონდო: 18462

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC1165CS8#TRPBF

LTC1165CS8#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 23939

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 3, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 1.8V ~ 6V,

სასურველი
LTC1255IN8

LTC1255IN8

ნაწილი საფონდო: 9850

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 9V ~ 24V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
LTC4440AHMS8E-5#PBF

LTC4440AHMS8E-5#PBF

ნაწილი საფონდო: 15379

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 4V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.2V, 1.6V,

სასურველი
LTC7003MPMSE#PBF

LTC7003MPMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 8505

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 60V,

სასურველი
LTC4441MPMSE#PBF

LTC4441MPMSE#PBF

ნაწილი საფონდო: 10924

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 5V ~ 25V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 1.8V, 2V,

სასურველი
LTC7000IMSE#TRPBF

LTC7000IMSE#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 19771

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.5V ~ 135V,

სასურველი
LT1162CSW#TRPBF

LT1162CSW#TRPBF

ნაწილი საფონდო: 13003

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი