თირისტორები - SCRs - მოდულები

PD431607

PD431607

ნაწილი საფონდო: 219

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1550A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
ND471221

ND471221

ნაწილი საფონდო: 610

სასურველი
PA431207

PA431207

ნაწილი საფონდო: 196

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1550A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
TA20161803DH

TA20161803DH

ნაწილი საფონდო: 267

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1800A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2820A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
CD421890C

CD421890C

ნაწილი საფონდო: 2339

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 90A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 141A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
T820187504DH

T820187504DH

ნაწილი საფონდო: 552

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 750A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1175A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T620143004DN

T620143004DN

ნაწილი საფონდო: 1043

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 470A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T820069004DH

T820069004DH

ნაწილი საფონდო: 626

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 900A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T720103504DN

T720103504DN

ნაწილი საფონდო: 901

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 350A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
TA20041803DH

TA20041803DH

ნაწილი საფონდო: 231

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1800A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2820A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
T9G0041003DH

T9G0041003DH

ნაწილი საფონდო: 545

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1000A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
LD431050

LD431050

ნაწილი საფონდო: 398

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 900A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T7H8106504DN

T7H8106504DN

ნაწილი საფონდო: 860

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1020A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T820067504DH

T820067504DH

ნაწილი საფონდო: 701

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 750A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1175A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
PS430815

PS430815

ნაწილი საფონდო: 176

სასურველი
T9G0021203DH

T9G0021203DH

ნაწილი საფონდო: 554

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1880A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T720125504DN

T720125504DN

ნაწილი საფონდო: 806

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 550A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 850A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
ND431821

ND431821

ნაწილი საფონდო: 593

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 210A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 330A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
TA20121803DH

TA20121803DH

ნაწილი საფონდო: 256

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1800A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2820A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
C783CP

C783CP

ნაწილი საფონდო: 233

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 3kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1800A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2826A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
LD470850

LD470850

ნაწილი საფონდო: 462

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
ND471421

ND471421

ნაწილი საფონდო: 639

სასურველი
C782LC

C782LC

ნაწილი საფონდო: 209

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.3kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3610A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
C783CA

C783CA

ნაწილი საფონდო: 225

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 3.1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1800A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2826A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
CD631015B

CD631015B

ნაწილი საფონდო: 1190

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
CD631615B

CD631615B

ნაწილი საფონდო: 1292

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
CD431299C

CD431299C

ნაწილი საფონდო: 197

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 173A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
T720203504DN

T720203504DN

ნაწილი საფონდო: 646

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 350A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
C781PT

C781PT

ნაწილი საფონდო: 240

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.9kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3925A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.2V,

სასურველი
TA20141803DH

TA20141803DH

ნაწილი საფონდო: 250

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1800A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2820A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
TA20061803DH

TA20061803DH

ნაწილი საფონდო: 243

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1800A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2820A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
ND431221

ND431221

ნაწილი საფონდო: 627

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 210A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 330A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T620123004DN

T620123004DN

ნაწილი საფონდო: 1162

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 470A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
LD431843

LD431843

ნაწილი საფონდო: 466

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 430A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
ND421225

ND421225

ნაწილი საფონდო: 561

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 393A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
ND471825

ND471825

ნაწილი საფონდო: 556

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 393A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი