თირისტორები - SCRs - მოდულები

LD420850

LD420850

ნაწილი საფონდო: 417

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
CD421090B

CD421090B

ნაწილი საფონდო: 1613

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
ND431825

ND431825

ნაწილი საფონდო: 479

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 393A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T820029004DH

T820029004DH

ნაწილი საფონდო: 759

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 900A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T720044504DN

T720044504DN

ნაწილი საფონდო: 1026

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 450A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 700A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
PD430807

PD430807

ნაწილი საფონდო: 195

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
PD471007

PD471007

ნაწილი საფონდო: 213

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
T9G0141203DH

T9G0141203DH

ნაწილი საფონდო: 445

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1880A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
CD421490B

CD421490B

ნაწილი საფონდო: 1610

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
LD421450

LD421450

ნაწილი საფონდო: 397

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
CD421490C

CD421490C

ნაწილი საფონდო: 2286

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 90A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 141A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
T9G0181003DH

T9G0181003DH

ნაწილი საფონდო: 487

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1000A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T720165504DN

T720165504DN

ნაწილი საფონდო: 668

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 550A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 850A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T9G0121203DH

T9G0121203DH

ნაწილი საფონდო: 462

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1880A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
PD421607

PD421607

ნაწილი საფონდო: 170

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
CD431090C

CD431090C

ნაწილი საფონდო: 2214

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 90A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 141A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
PD432006

PD432006

ნაწილი საფონდო: 215

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 600A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 942A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
PA431807

PA431807

ნაწილი საფონდო: 186

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1550A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
PD432206

PD432206

ნაწილი საფონდო: 167

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 600A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 942A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
TBS706350HHE

TBS706350HHE

ნაწილი საფონდო: 218

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 3500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 5600A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4V,

სასურველი
T9G0021003DH

T9G0021003DH

ნაწილი საფონდო: 640

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1000A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
C781LA

C781LA

ნაწილი საფონდო: 155

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3925A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.2V,

სასურველი
T820127504DH

T820127504DH

ნაწილი საფონდო: 618

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 750A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1175A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
CD421090C

CD421090C

ნაწილი საფონდო: 2362

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 90A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 141A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
T720143504DN

T720143504DN

ნაწილი საფონდო: 790

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 350A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
LD421843

LD421843

ნაწილი საფონდო: 372

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 430A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T9G0121003DH

T9G0121003DH

ნაწილი საფონდო: 529

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1000A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
PD431407

PD431407

ნაწილი საფონდო: 152

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
T9G0141003DH

T9G0141003DH

ნაწილი საფონდო: 469

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1000A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T620083004DN

T620083004DN

ნაწილი საფონდო: 1281

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 470A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T9G0061003DH

T9G0061003DH

ნაწილი საფონდო: 528

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1000A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
LD421650

LD421650

ნაწილი საფონდო: 433

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
PD431007

PD431007

ნაწილი საფონდო: 217

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სასურველი
T620043004DN

T620043004DN

ნაწილი საფონდო: 1505

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 470A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
ND471425

ND471425

ნაწილი საფონდო: 541

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 393A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი
T720224504DN

T720224504DN

ნაწილი საფონდო: 592

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 450A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 700A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სასურველი