შასის მთის წინააღმდეგობები

HS15 6R8 F

HS15 6R8 F

ნაწილი საფონდო: 37063

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 27R F

HS50 27R F

ნაწილი საფონდო: 185

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 560R F

HS25 560R F

ნაწილი საფონდო: 34743

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 R68 F

HS50 R68 F

ნაწილი საფონდო: 28350

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 15R F

HS50 15R F

ნაწილი საფონდო: 28359

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 5R6 J

HS50 5R6 J

ნაწილი საფონდო: 29568

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 75R F

HS25 75R F

ნაწილი საფონდო: 34793

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 40R F

HS50 40R F

ნაწილი საფონდო: 28322

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 10R F

HS15 10R F

ნაწილი საფონდო: 37070

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 330R J

HS50 330R J

ნაწილი საფონდო: 29572

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 56R J

HS50 56R J

ნაწილი საფონდო: 29595

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 R10 F

HS25 R10 F

ნაწილი საფონდო: 34780

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 330R F

HS25 330R F

ნაწილი საფონდო: 34787

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 2R7 J

HS25 2R7 J

ნაწილი საფონდო: 37787

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 200R F

HS10 200R F

ნაწილი საფონდო: 39258

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 2K2 J

HS25 2K2 J

ნაწილი საფონდო: 37775

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS15 500R J

HS15 500R J

ნაწილი საფონდო: 35666

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 1K5 J

HS25 1K5 J

ნაწილი საფონდო: 37764

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS10 10K J

HS10 10K J

ნაწილი საფონდო: 35984

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS15 6R8 J

HS15 6R8 J

ნაწილი საფონდო: 35671

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 270R J

HS25 270R J

ნაწილი საფონდო: 37757

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 500R F

HS10 500R F

ნაწილი საფონდო: 39282

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 270R J

HS15 270R J

ნაწილი საფონდო: 35669

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 22R J

HS10 22R J

ნაწილი საფონდო: 35978

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 5K6 J

HS15 5K6 J

ნაწილი საფონდო: 35597

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS10 20R F

HS10 20R F

ნაწილი საფონდო: 39196

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 1R5 F

HS10 1R5 F

ნაწილი საფონდო: 39262

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 R82 J

HS10 R82 J

ნაწილი საფონდო: 39274

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 4R7 J

HS15 4R7 J

ნაწილი საფონდო: 35644

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 R68 J

HS10 R68 J

ნაწილი საფონდო: 39252

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 4R7 J

HS25 4R7 J

ნაწილი საფონდო: 37700

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 R15 J

HS10 R15 J

ნაწილი საფონდო: 39274

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 120R J

HS15 120R J

ნაწილი საფონდო: 35596

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 5R J

HS25 5R J

ნაწილი საფონდო: 37773

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 75R J

HS10 75R J

ნაწილი საფონდო: 35974

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS10 2R2 J

HS10 2R2 J

ნაწილი საფონდო: 35969

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი