შასის მთის წინააღმდეგობები

HS25 20K F

HS25 20K F

ნაწილი საფონდო: 34748

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS25 30R F

HS25 30R F

ნაწილი საფონდო: 34791

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 R47 J

HS50 R47 J

ნაწილი საფონდო: 29561

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 33R J

HS50 33R J

ნაწილი საფონდო: 29594

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 3K3 F

HS15 3K3 F

ნაწილი საფონდო: 37078

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS15 30R F

HS15 30R F

ნაწილი საფონდო: 37061

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 R5 J

HS25 R5 J

ნაწილი საფონდო: 34729

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 4K7 J

HS50 4K7 J

ნაწილი საფონდო: 29602

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS50 R10 F

HS50 R10 F

ნაწილი საფონდო: 28311

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 56R F

HS25 56R F

ნაწილი საფონდო: 34731

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 20R F

HS50 20R F

ნაწილი საფონდო: 28324

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 270R J

HS50 270R J

ნაწილი საფონდო: 29591

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 4R7 F

HS25 4R7 F

ნაწილი საფონდო: 34734

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 470R F

HS25 470R F

ნაწილი საფონდო: 23004

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 100R F

HS25 100R F

ნაწილი საფონდო: 23039

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 1K5 F

HS50 1K5 F

ნაწილი საფონდო: 28307

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS15 1R5 F

HS15 1R5 F

ნაწილი საფონდო: 37044

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 R18 J

HS15 R18 J

ნაწილი საფონდო: 37062

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 2R F

HS25 2R F

ნაწილი საფონდო: 34819

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 1R8 J

HS50 1R8 J

ნაწილი საფონდო: 29631

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 R15 J

HS25 R15 J

ნაწილი საფონდო: 34758

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 150R J

HS50 150R J

ნაწილი საფონდო: 29560

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 6R F

HS25 6R F

ნაწილი საფონდო: 34728

წინააღმდეგობა: 6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 10K J

HS25 10K J

ნაწილი საფონდო: 37736

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS25 1K5 F

HS25 1K5 F

ნაწილი საფონდო: 34727

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS15 2R F

HS15 2R F

ნაწილი საფონდო: 37067

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 3R9 J

HS25 3R9 J

ნაწილი საფონდო: 37789

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 R33 J

HS50 R33 J

ნაწილი საფონდო: 29557

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 560R F

HS15 560R F

ნაწილი საფონდო: 37024

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 R1 J

HS15 R1 J

ნაწილი საფონდო: 37024

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 500R F

HS15 500R F

ნაწილი საფონდო: 37054

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 470R F

HS50 470R F

ნაწილი საფონდო: 28317

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 R27 J

HS50 R27 J

ნაწილი საფონდო: 29543

წინააღმდეგობა: 270 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 R05 J

HS50 R05 J

ნაწილი საფონდო: 29638

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS25 R05 J

HS25 R05 J

ნაწილი საფონდო: 34802

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 3K3 J

HS50 3K3 J

ნაწილი საფონდო: 29560

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი