შასის მთის წინააღმდეგობები

L12J47R

L12J47R

ნაწილი საფონდო: 12215

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J20RE

F10J20RE

ნაწილი საფონდო: 9806

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS75 150R J

HS75 150R J

ნაწილი საფონდო: 9399

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F10J100E

F10J100E

ნაწილი საფონდო: 9644

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS75 510R J

HS75 510R J

ნაწილი საფონდო: 9457

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L25J250E

L25J250E

ნაწილი საფონდო: 9500

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F20J50RE

F20J50RE

ნაწილი საფონდო: 9350

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TA1K0PH30R0K

TA1K0PH30R0K

ნაწილი საფონდო: 438

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
HS100 2R2 F

HS100 2R2 F

ნაწილი საფონდო: 7745

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS75 40R F

HS75 40R F

ნაწილი საფონდო: 9169

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS100 6R8 J

HS100 6R8 J

ნაწილი საფონდო: 8076

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS100 47R F

HS100 47R F

ნაწილი საფონდო: 7738

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L25J7K5

L25J7K5

ნაწილი საფონდო: 9391

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS75 82R J

HS75 82R J

ნაწილი საფონდო: 9409

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F10J30R

F10J30R

ნაწილი საფონდო: 8996

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L12J470E

L12J470E

ნაწილი საფონდო: 13367

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS75 680R J

HS75 680R J

ნაწილი საფონდო: 9432

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L25J15KE

L25J15KE

ნაწილი საფონდო: 7477

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L25J60K

L25J60K

ნაწილი საფონდო: 7253

წინააღმდეგობა: 60 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS100 30K F

HS100 30K F

ნაწილი საფონდო: 7735

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS50 1R5 F

HS50 1R5 F

ნაწილი საფონდო: 28295

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 39R J

HS50 39R J

ნაწილი საფონდო: 29592

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS15 R39 J

HS15 R39 J

ნაწილი საფონდო: 37079

წინააღმდეგობა: 390 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 33K J

HS50 33K J

ნაწილი საფონდო: 29583

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS25 4R F

HS25 4R F

ნაწილი საფონდო: 34748

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 2R7 J

HS50 2R7 J

ნაწილი საფონდო: 29553

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 1K F

HS50 1K F

ნაწილი საფონდო: 28315

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS50 200R F

HS50 200R F

ნაწილი საფონდო: 28283

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 2R F

HS50 2R F

ნაწილი საფონდო: 28357

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 680R F

HS50 680R F

ნაწილი საფონდო: 28345

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 4R7 F

HS50 4R7 F

ნაწილი საფონდო: 28355

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 R01 K

HS50 R01 K

ნაწილი საფონდო: 29568

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 75R F

HS50 75R F

ნაწილი საფონდო: 28313

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 2R J

HS50 2R J

ნაწილი საფონდო: 29583

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 500R J

HS50 500R J

ნაწილი საფონდო: 29633

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 R20 F

HS50 R20 F

ნაწილი საფონდო: 28361

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი