მეხსიერება

DS1230Y-200IND

DS1230Y-200IND

ნაწილი საფონდო: 111

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 200ns,

სასურველი
DS1230AB-70

DS1230AB-70

ნაწილი საფონდო: 1654

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1245Y-120IND+

DS1245Y-120IND+

ნაწილი საფონდო: 1908

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 120ns,

სასურველი
DS2502X1+U

DS2502X1+U

ნაწილი საფონდო: 6190

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Kb (128 x 8),

სასურველი
DS1245WP-100+

DS1245WP-100+

ნაწილი საფონდო: 2099

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1230YP-70+

DS1230YP-70+

ნაწილი საფონდო: 2397

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS2502R+00B

DS2502R+00B

ნაწილი საფონდო: 8875

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Kb (128 x 8),

სასურველი
DS2502R-00C+T&R

DS2502R-00C+T&R

ნაწილი საფონდო: 8924

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Kb (128 x 8),

სასურველი
DS3645B

DS3645B

ნაწილი საფონდო: 5536

სასურველი
DS2433X-300-EC#TW

DS2433X-300-EC#TW

ნაწილი საფონდო: 1461

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (256 x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 1µs,

სასურველი
DS1230AB-70IND+

DS1230AB-70IND+

ნაწილი საფონდო: 2589

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS24B33G+U

DS24B33G+U

ნაწილი საფონდო: 987

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (256 x 16),

სასურველი
DS28CN01U-W0D+1T-C

DS28CN01U-W0D+1T-C

ნაწილი საფონდო: 8899

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 1Kb (128 x 8), საათის სიხშირე: 400kHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ms,

სასურველი
DS1225AB-170+

DS1225AB-170+

ნაწილი საფონდო: 3457

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 170ns,

სასურველი
DS1225Y-150+

DS1225Y-150+

ნაწილი საფონდო: 3361

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 150ns,

სასურველი
DS1345ABP-70+

DS1345ABP-70+

ნაწილი საფონდო: 2648

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1230Y-150+

DS1230Y-150+

ნაწილი საფონდო: 2498

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 150ns,

სასურველი
DS1345WP-150+

DS1345WP-150+

ნაწილი საფონდო: 2540

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 150ns,

სასურველი
DS1330WP-150+

DS1330WP-150+

ნაწილი საფონდო: 3617

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 150ns,

სასურველი
DS1330WP-100+

DS1330WP-100+

ნაწილი საფონდო: 3660

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS2501S-UNW-111B/T&R

DS2501S-UNW-111B/T&R

ნაწილი საფონდო: 1413

სასურველი
DS1225Y-200+

DS1225Y-200+

ნაწილი საფონდო: 3240

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 200ns,

სასურველი
DS1230WP-100+

DS1230WP-100+

ნაწილი საფონდო: 2908

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1225Y-150IND+

DS1225Y-150IND+

ნაწილი საფონდო: 3736

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 150ns,

სასურველი
DS2502X1+UW

DS2502X1+UW

ნაწილი საფონდო: 8013

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Kb (128 x 8),

სასურველი
DS28E10P-W22+2TW

DS28E10P-W22+2TW

ნაწილი საფონდო: 8019

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 224b (28 x 8),

სასურველი
DS1225AD-150+

DS1225AD-150+

ნაწილი საფონდო: 3507

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 150ns,

სასურველი
DS2502AX-500-00/T&R/

DS2502AX-500-00/T&R/

ნაწილი საფონდო: 5251

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Kb (128 x 8),

სასურველი
DS2432X-S+TW

DS2432X-S+TW

ნაწილი საფონდო: 7904

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 1Kb (1K x 1),

სასურველი
DS28E15X+UW

DS28E15X+UW

ნაწილი საფონდო: 8065

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 512b (512 x 1),

სასურველი
DS28E07+W

DS28E07+W

ნაწილი საფონდო: 8084

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 1Kb (256 x 4),

სასურველი
DS28E01G-100+T&R

DS28E01G-100+T&R

ნაწილი საფონდო: 4591

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 1Kb (256 x 4),

სასურველი
DS2433AX-S+TW

DS2433AX-S+TW

ნაწილი საფონდო: 8012

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (256 x 16),

სასურველი
DS28EL15Q-742+3TW

DS28EL15Q-742+3TW

ნაწილი საფონდო: 8078

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 512b (256 x 2),

სასურველი
DSQ09G5-004-740

DSQ09G5-004-740

ნაწილი საფონდო: 6846

სასურველი
DS1225Y-200IND+

DS1225Y-200IND+

ნაწილი საფონდო: 3594

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 200ns,

სასურველი