მეხსიერება

DS25LV02R+T&R

DS25LV02R+T&R

ნაწილი საფონდო: 1064

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EPROM, ტექნოლოგია: EPROM - OTP, მეხსიერების ზომა: 1Kb (1K x 1),

სასურველი
DS2016R-100+

DS2016R-100+

ნაწილი საფონდო: 1038

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM, მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS2423P+T&R

DS2423P+T&R

ნაწილი საფონდო: 1036

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (256 x 16 pages),

სასურველი
DS1220Y-200+

DS1220Y-200+

ნაწილი საფონდო: 924

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 200ns,

სასურველი
DS3070W-100#

DS3070W-100#

ნაწილი საფონდო: 1121

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1330ABP-100+

DS1330ABP-100+

ნაწილი საფონდო: 5166

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1350YP-100+

DS1350YP-100+

ნაწილი საფონდო: 1007

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS2016-100+

DS2016-100+

ნაწილი საფონდო: 9435

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM, მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS2433+

DS2433+

ნაწილი საფონდო: 1060

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (256 x 16),

სასურველი
DS1609-50+

DS1609-50+

ნაწილი საფონდო: 1036

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Kb (256 x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
DS3065W-100#

DS3065W-100#

ნაწილი საფონდო: 1104

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1220Y-200IND+

DS1220Y-200IND+

ნაწილი საფონდო: 952

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 200ns,

სასურველი
DS1265AB-100+

DS1265AB-100+

ნაწილი საფონდო: 490

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1270W-100IND#

DS1270W-100IND#

ნაწილი საფონდო: 295

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1270AB-70#

DS1270AB-70#

ნაწილი საფონდო: 330

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1250ABP-100+

DS1250ABP-100+

ნაწილი საფონდო: 598

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1265W-150+

DS1265W-150+

ნაწილი საფონდო: 508

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 150ns,

სასურველი
DS1270Y-70#

DS1270Y-70#

ნაწილი საფონდო: 323

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1270Y-70IND#

DS1270Y-70IND#

ნაწილი საფონდო: 359

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1265AB-70IND+

DS1265AB-70IND+

ნაწილი საფონდო: 479

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1270AB-100#

DS1270AB-100#

ნაწილი საფონდო: 347

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1270W-100#

DS1270W-100#

ნაწილი საფონდო: 354

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1270AB-70IND#

DS1270AB-70IND#

ნაწილი საფონდო: 308

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS2433S+T&R

DS2433S+T&R

ნაწილი საფონდო: 8804

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: EEPROM, ტექნოლოგია: EEPROM, მეხსიერების ზომა: 4Kb (256 x 16),

სასურველი
DS1250WP-100+

DS1250WP-100+

ნაწილი საფონდო: 744

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1250Y-100+

DS1250Y-100+

ნაწილი საფონდო: 702

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1249Y-100#

DS1249Y-100#

ნაწილი საფონდო: 1098

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1250WP-100IND+

DS1250WP-100IND+

ნაწილი საფონდო: 667

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1350WP-100+

DS1350WP-100+

ნაწილი საფონდო: 647

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1250Y-100IND+

DS1250Y-100IND+

ნაწილი საფონდო: 681

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1609S-50+

DS1609S-50+

ნაწილი საფონდო: 8669

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Kb (256 x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
DS1250AB-100IND+

DS1250AB-100IND+

ნაწილი საფონდო: 665

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
DS1250AB-70+

DS1250AB-70+

ნაწილი საფონდო: 743

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1225AB-70IND

DS1225AB-70IND

ნაწილი საფონდო: 401

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1249Y-70#

DS1249Y-70#

ნაწილი საფონდო: 1133

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
DS1230W-100IND

DS1230W-100IND

ნაწილი საფონდო: 111

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი