კერამიკული კონდენსატორები

501S42E1R0AV4E

501S42E1R0AV4E

ნაწილი საფონდო: 108118

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E1R5AV4E

501S42E1R5AV4E

ნაწილი საფონდო: 108086

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E1R3AV4E

501S42E1R3AV4E

ნაწილი საფონდო: 108086

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
500S42E911JV4E

500S42E911JV4E

ნაწილი საფონდო: 108076

ტევადობა: 910pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
501S42E1R6AV4E

501S42E1R6AV4E

ნაწილი საფონდო: 108085

ტევადობა: 1.6pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E0R5AV4E

501S42E0R5AV4E

ნაწილი საფონდო: 108112

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E1R1AV4E

501S42E1R1AV4E

ნაწილი საფონდო: 108090

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
500S42E821JV4E

500S42E821JV4E

ნაწილი საფონდო: 108114

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
501S42E0R6AV4E

501S42E0R6AV4E

ნაწილი საფონდო: 108109

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E1R9AV4E

501S42E1R9AV4E

ნაწილი საფონდო: 108100

ტევადობა: 1.9pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E9R1BV4E

501S42E9R1BV4E

ნაწილი საფონდო: 113311

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E8R2BV4E

501S42E8R2BV4E

ნაწილი საფონდო: 113264

ტევადობა: 8.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E7R5BV4E

501S42E7R5BV4E

ნაწილი საფონდო: 113243

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E6R2BV4E

501S42E6R2BV4E

ნაწილი საფონდო: 113307

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E6R8BV4E

501S42E6R8BV4E

ნაწილი საფონდო: 113280

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E220GV4E

501S42E220GV4E

ნაწილი საფონდო: 116004

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E100GV4E

501S42E100GV4E

ნაწილი საფონდო: 116018

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E150GV4E

501S42E150GV4E

ნაწილი საფონდო: 116062

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E180GV4E

501S42E180GV4E

ნაწილი საფონდო: 94

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E200GV4E

501S42E200GV4E

ნაწილი საფონდო: 116007

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E130GV4E

501S42E130GV4E

ნაწილი საფონდო: 116036

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
500S42E102KV4E

500S42E102KV4E

ნაწილი საფონდო: 116032

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
501S42E120GV4E

501S42E120GV4E

ნაწილი საფონდო: 116074

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E160GV4E

501S42E160GV4E

ნაწილი საფონდო: 116053

ტევადობა: 16pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E101GV4E

501S42E101GV4E

ნაწილი საფონდო: 118893

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
500S42E911KV4E

500S42E911KV4E

ნაწილი საფონდო: 118905

ტევადობა: 910pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
500S42E751KV4E

500S42E751KV4E

ნაწილი საფონდო: 118877

ტევადობა: 750pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
500S42E821KV4E

500S42E821KV4E

ნაწილი საფონდო: 118920

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
500S42E681KV4E

500S42E681KV4E

ნაწილი საფონდო: 118888

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
501S42E3R6BV4E

501S42E3R6BV4E

ნაწილი საფონდო: 128565

ტევადობა: 3.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E5R1BV4E

501S42E5R1BV4E

ნაწილი საფონდო: 128568

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E4R3BV4E

501S42E4R3BV4E

ნაწილი საფონდო: 128608

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E3R3BV4E

501S42E3R3BV4E

ნაწილი საფონდო: 128565

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E2R2BV4E

501S42E2R2BV4E

ნაწილი საფონდო: 128602

ტევადობა: 2.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E2R4BV4E

501S42E2R4BV4E

ნაწილი საფონდო: 128560

ტევადობა: 2.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E3R9BV4E

501S42E3R9BV4E

ნაწილი საფონდო: 128572

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი