კერამიკული კონდენსატორები

501S42E180FV4E

501S42E180FV4E

ნაწილი საფონდო: 60154

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E150FV4E

501S42E150FV4E

ნაწილი საფონდო: 60231

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E120FV4E

501S42E120FV4E

ნაწილი საფონდო: 60211

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E220FV4E

501S42E220FV4E

ნაწილი საფონდო: 60213

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E101FV4E

501S42E101FV4E

ნაწილი საფონდო: 61660

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±1%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
500S42E102GV4E

500S42E102GV4E

ნაწილი საფონდო: 77102

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
500S42E751GV4E

500S42E751GV4E

ნაწილი საფონდო: 79588

ტევადობა: 750pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
500S42E821GV4E

500S42E821GV4E

ნაწილი საფონდო: 79595

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
500S42E911GV4E

500S42E911GV4E

ნაწილი საფონდო: 79567

ტევადობა: 910pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
500S42E681GV4E

500S42E681GV4E

ნაწილი საფონდო: 79614

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
501S42E910GV4E

501S42E910GV4E

ნაწილი საფონდო: 101256

ტევადობა: 91pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E680GV4E

501S42E680GV4E

ნაწილი საფონდო: 101190

ტევადობა: 68pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E820GV4E

501S42E820GV4E

ნაწილი საფონდო: 101255

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E750GV4E

501S42E750GV4E

ნაწილი საფონდო: 101175

ტევადობა: 75pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E390GV4E

501S42E390GV4E

ნაწილი საფონდო: 101239

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E560GV4E

501S42E560GV4E

ნაწილი საფონდო: 101176

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E300GV4E

501S42E300GV4E

ნაწილი საფონდო: 101200

ტევადობა: 30pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E510GV4E

501S42E510GV4E

ნაწილი საფონდო: 101228

ტევადობა: 51pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E620GV4E

501S42E620GV4E

ნაწილი საფონდო: 101206

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E470GV4E

501S42E470GV4E

ნაწილი საფონდო: 101198

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E430GV4E

501S42E430GV4E

ნაწილი საფონდო: 101193

ტევადობა: 43pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E330GV4E

501S42E330GV4E

ნაწილი საფონდო: 101250

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E240GV4E

501S42E240GV4E

ნაწილი საფონდო: 101195

ტევადობა: 24pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E270GV4E

501S42E270GV4E

ნაწილი საფონდო: 101207

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E360GV4E

501S42E360GV4E

ნაწილი საფონდო: 101192

ტევადობა: 36pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
500S42E102JV4E

500S42E102JV4E

ნაწილი საფონდო: 103390

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
501S42E0R9AV4E

501S42E0R9AV4E

ნაწილი საფონდო: 108076

ტევადობა: 0.9pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E0R7AV4E

501S42E0R7AV4E

ნაწილი საფონდო: 108129

ტევადობა: 0.7pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
500S42E681JV4E

500S42E681JV4E

ნაწილი საფონდო: 108102

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
501S42E1R4AV4E

501S42E1R4AV4E

ნაწილი საფონდო: 108168

ტევადობა: 1.4pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E2R0AV4E

501S42E2R0AV4E

ნაწილი საფონდო: 108157

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
500S42E751JV4E

500S42E751JV4E

ნაწილი საფონდო: 108125

ტევადობა: 750pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
501S42E1R7AV4E

501S42E1R7AV4E

ნაწილი საფონდო: 108121

ტევადობა: 1.7pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E0R8AV4E

501S42E0R8AV4E

ნაწილი საფონდო: 108089

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E1R2AV4E

501S42E1R2AV4E

ნაწილი საფონდო: 108076

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი
501S42E1R8AV4E

501S42E1R8AV4E

ნაწილი საფონდო: 108133

ტევადობა: 1.8pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss, High Voltage,

სასურველი