PMIC - კარიბჭის დრაივერები

IR2131STRPBF

IR2131STRPBF

ნაწილი საფონდო: 15429

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IR2153D

IR2153D

ნაწილი საფონდო: 8080

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15.6V,

სასურველი
IR21362JTR

IR21362JTR

ნაწილი საფონდო: 990

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 11.5V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

სასურველი
IR2128STR

IR2128STR

ნაწილი საფონდო: 8131

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side or Low-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 12V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

სასურველი
IR2102

IR2102

ნაწილი საფონდო: 8050

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

სასურველი
IR21531STR

IR21531STR

ნაწილი საფონდო: 579

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15.6V,

სასურველი
IR2132JTR

IR2132JTR

ნაწილი საფონდო: 595

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IR2117

IR2117

ნაწილი საფონდო: 8011

ორიენტირებული კონფიგურაცია: High-Side, არხის ტიპი: Single, დრაივერების რაოდენობა: 1, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

სასურველი
IR2110

IR2110

ნაწილი საფონდო: 9870

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 3.3V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

სასურველი
IRS21844PBF

IRS21844PBF

ნაწილი საფონდო: 25609

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

სასურველი
IR2233J

IR2233J

ნაწილი საფონდო: 9887

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
IR2130JPBF

IR2130JPBF

ნაწილი საფონდო: 6257

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IR21834

IR21834

ნაწილი საფონდო: 820

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

სასურველი
IRS2334SPBF

IRS2334SPBF

ნაწილი საფონდო: 25731

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

სასურველი
IR21364SPBF

IR21364SPBF

ნაწილი საფონდო: 21474

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 11.5V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

სასურველი
IR2133SPBF

IR2133SPBF

ნაწილი საფონდო: 11251

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IR2183PBF

IR2183PBF

ნაწილი საფონდო: 20899

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

სასურველი
IR21362STRPBF

IR21362STRPBF

ნაწილი საფონდო: 2610

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 11.5V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

სასურველი
IR2135JPBF

IR2135JPBF

ნაწილი საფონდო: 8029

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IRS2453DPBF

IRS2453DPBF

ნაწილი საფონდო: 19690

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 4, კარიბჭის ტიპი: N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 15.6V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 4.7V, 9.3V,

სასურველი
IR2105

IR2105

ნაწილი საფონდო: 491

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Synchronous, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

სასურველი
IR21824

IR21824

ნაწილი საფონდო: 666

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

სასურველი
IR2131JTRPBF

IR2131JTRPBF

ნაწილი საფონდო: 13149

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IR2010SPBF

IR2010SPBF

ნაწილი საფონდო: 23041

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

სასურველი
IRS23364DSPBF

IRS23364DSPBF

ნაწილი საფონდო: 25818

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 11.5V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

სასურველი
IR2136

IR2136

ნაწილი საფონდო: 9903

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

სასურველი
IR2133STR

IR2133STR

ნაწილი საფონდო: 591

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IR21814PBF

IR21814PBF

ნაწილი საფონდო: 21181

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

სასურველი
IR21084STR

IR21084STR

ნაწილი საფონდო: 954

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,

სასურველი
IR2136JTRPBF

IR2136JTRPBF

ნაწილი საფონდო: 26760

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

სასურველი
IR2132S

IR2132S

ნაწილი საფონდო: 220

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IR2181S

IR2181S

ნაწილი საფონდო: 952

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

სასურველი
IR2101

IR2101

ნაწილი საფონდო: 9817

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

სასურველი
IR2132PBF

IR2132PBF

ნაწილი საფონდო: 10949

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

სასურველი
IR2233JPBF

IR2233JPBF

ნაწილი საფონდო: 4925

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: 3-Phase, დრაივერების რაოდენობა: 6, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

სასურველი
IRS2110PBF

IRS2110PBF

ნაწილი საფონდო: 25095

ორიენტირებული კონფიგურაცია: Half-Bridge, არხის ტიპი: Independent, დრაივერების რაოდენობა: 2, კარიბჭის ტიპი: IGBT, N-Channel MOSFET, ძაბვა - მიწოდება: 10V ~ 20V, ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

სასურველი