დენის დრაივერის მოდულები

IGCM04B60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6380

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IFCM15P60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5161

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 650V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMX30TP60A

ნაწილი საფონდო: 3425

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IGCM20F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5472

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IGCM06F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6519

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM136-3023B2

ნაწილი საფონდო: 2821

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 150V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads,

IFCM20U65GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4266

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 650V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IGCM10F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6212

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IFCM30U65GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4123

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 650V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM630-1062F2

ნაწილი საფონდო: 969

IRAM136-1060A

ნაწილი საფონდო: 930

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IGCM04F60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 7448

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMS12UP60A

ნაწილი საფონდო: 4992

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 12A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IGCM04F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6977

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMS10UP60B-S

ნაწილი საფონდო: 4303

პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IKCM20L60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5773

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM30F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4664

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM136-0760A2

ნაწილი საფონდო: 956

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IRAM336-025SB3

ნაწილი საფონდო: 969

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, პაკეტი / კორპუსი: 19-PowerSSIP Module, Formed Leads,

IRAM136-1561A2

ნაწილი საფონდო: 4657

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IKCM15H60GAXKMA2

ნაწილი საფონდო: 6281

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IGCM15F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6390

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAM256-2067A2

ნაწილი საფონდო: 3883

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,

IKCM15R60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4918

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMT20TP60A

ნაწილი საფონდო: 4334

პაკეტი / კორპუსი: Module,

IRAM136-3023B

ნაწილი საფონდო: 2546

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 150V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads,

IKCM10H60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6483

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMX30TP60A-2

ნაწილი საფონდო: 3479

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,

IKCM15L60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 5050

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM30F60GDXKMA1

ნაწილი საფონდო: 3763

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM15F60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 8771

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM10L60GAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6274

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IRAMT15TP60A-2

ნაწილი საფონდო: 5461

პაკეტი / კორპუსი: Module,

IGCM06B60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 8351

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM30F60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 4792

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),

IKCM15L60HAXKMA1

ნაწილი საფონდო: 6897

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),