Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

თირისტორები - SCRs - მოდულები

  • სახლი
  •  
  • თირისტორები - SCRs - მოდულები
TZ800N14KOFHPSA3
Infineon Technologies

TZ800N14KOFHPSA3

ნაწილი საფონდო: 107

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 819A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1500A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
T680N14TOFXPSA1
Infineon Technologies

T680N14TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 164

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 681A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1250A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

სასურველი
T1500N18TOFVTXPSA1
Infineon Technologies

T1500N18TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 54

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3500A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
T420N16TOFXPSA1
Infineon Technologies

T420N16TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 122

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 424A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 750A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TT104N14KOFHPSA1
Infineon Technologies

TT104N14KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 143

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 104A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 160A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

სასურველი
TD162N16KOFHPSA1
Infineon Technologies

TD162N16KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 71

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 162A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 260A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TT104N12KOFKHPSA1
Infineon Technologies

TT104N12KOFKHPSA1

ნაწილი საფონდო: 94

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 104A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 160A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

სასურველი
TTW3C85N16LOFHOSA1
Infineon Technologies

TTW3C85N16LOFHOSA1

ნაწილი საფონდო: 242

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 6 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 106A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 75A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
TT180N12KOFHPSA1
Infineon Technologies

TT180N12KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 90

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 285A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TD140N22KOFHPSA1
Infineon Technologies

TD140N22KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 124

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 159A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 250A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TT330N12KOFHPSA2
Infineon Technologies

TT330N12KOFHPSA2

ნაწილი საფონდო: 70

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TD215N22KOFHPSA1
Infineon Technologies

TD215N22KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 146

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 215A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
T470N16TOFXPSA1
Infineon Technologies

T470N16TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 121

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 470A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TT500N16KOFHPSA2
Infineon Technologies

TT500N16KOFHPSA2

ნაწილი საფონდო: 135

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 900A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

სასურველი
TD330N16KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies

TD330N16KOFTIMHPSA1

ნაწილი საფონდო: 68

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TT61N16KOFHPSA1
Infineon Technologies

TT61N16KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 81

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 76A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 120A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

სასურველი
T1040N22TOFVTXPSA1
Infineon Technologies

T1040N22TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 138

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1040A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2200A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

სასურველი
TD400N26KOFHPSA1
Infineon Technologies

TD400N26KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 63

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

სასურველი
T2180N16TOFVTXPSA1
Infineon Technologies

T2180N16TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 100

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4460A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
T640N16TOFXPSA1
Infineon Technologies

T640N16TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 110

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 644A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1250A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

სასურველი
TZ800N16KOFHPSA3
Infineon Technologies

TZ800N16KOFHPSA3

ნაწილი საფონდო: 121

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 819A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1500A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TD210N12KOFHPSA1
Infineon Technologies

TD210N12KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 117

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 261A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TZ600N12KOFHPSA1
Infineon Technologies

TZ600N12KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 139

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 669A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1050A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

სასურველი
TD190N18SOFHPSA1
Infineon Technologies

TD190N18SOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 158

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 190A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 275A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
TT170N14KOFHPSA1
Infineon Technologies

TT170N14KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 67

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 223A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 350A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
T3710N06TOFVTXPSA1
Infineon Technologies

T3710N06TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 122

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 3710A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 7000A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

სასურველი
TT180N16KOFHPSA1
Infineon Technologies

TT180N16KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 32

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 285A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TD140N16SOFHPSA1
Infineon Technologies

TD140N16SOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 192

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 140A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 220A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TT61N08KOFB2
Infineon Technologies

TT61N08KOFB2

ნაწილი საფონდო: 191

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 76A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 120A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

სასურველი
TZ240N32KOF
Infineon Technologies

TZ240N32KOF

ნაწილი საფონდო: 226

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 3.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 240A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 700A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

სასურველი
T660N22TOFXPSA1
Infineon Technologies

T660N22TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 119

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 660A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1500A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

სასურველი
T430N16TOFXPSA1
Infineon Technologies

T430N16TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 120

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 433A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 700A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TT120N16SOFHPSA1
Infineon Technologies

TT120N16SOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 189

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 119A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 190A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სასურველი
TD250N14KOFHPSA1
Infineon Technologies

TD250N14KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 136

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TD250N18KOFHPSA1
Infineon Technologies

TD250N18KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 99

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი
TT280N18SOFHPSA1
Infineon Technologies

TT280N18SOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 112

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 280A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სასურველი