Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
IPS13N03LA G
Infineon Technologies

IPS13N03LA G

ნაწილი საფონდო: 154

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
IPI25N06S3-25
Infineon Technologies

IPI25N06S3-25

ნაწილი საფონდო: 104

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25.1 mOhm @ 15A, 10V,

სასურველი
SPI80N06S2L-11
Infineon Technologies

SPI80N06S2L-11

ნაწილი საფონდო: 6034

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

სასურველი
SPI47N10L
Infineon Technologies

SPI47N10L

ნაწილი საფონდო: 6100

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V,

სასურველი
IRFL024ZTRPBF
Infineon Technologies

IRFL024ZTRPBF

ნაწილი საფონდო: 190570

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 57.5 mOhm @ 3.1A, 10V,

სასურველი
IPP080N06N G
Infineon Technologies

IPP080N06N G

ნაწილი საფონდო: 124

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 80A, 10V,

სასურველი
IPB25N06S3L-22
Infineon Technologies

IPB25N06S3L-22

ნაწილი საფონდო: 132

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21.3 mOhm @ 17A, 10V,

სასურველი
SPI80N06S2L-05
Infineon Technologies

SPI80N06S2L-05

ნაწილი საფონდო: 292

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

სასურველი
IPD90N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies

IPD90N03S4L03ATMA1

ნაწილი საფონდო: 145328

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 90A, 10V,

სასურველი
IPD640N06LGBTMA1
Infineon Technologies

IPD640N06LGBTMA1

ნაწილი საფონდო: 264

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 18A, 10V,

სასურველი
IRFS3206PBF
Infineon Technologies

IRFS3206PBF

ნაწილი საფონდო: 22234

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V,

სასურველი
IRF6626TRPBF
Infineon Technologies

IRF6626TRPBF

ნაწილი საფონდო: 81

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 72A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 16A, 10V,

სასურველი
SPP80N06S2L-07
Infineon Technologies

SPP80N06S2L-07

ნაწილი საფონდო: 6041

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

სასურველი
IRF6668TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6668TR1PBF

ნაწილი საფონდო: 6059

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V,

სასურველი
IPC100N04S51R9ATMA1
Infineon Technologies

IPC100N04S51R9ATMA1

ნაწილი საფონდო: 142396

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 7V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
IPB05N03LAT
Infineon Technologies

IPB05N03LAT

ნაწილი საფონდო: 91

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 55A, 10V,

სასურველი
SPA07N65C3XKSA1
Infineon Technologies

SPA07N65C3XKSA1

ნაწილი საფონდო: 48944

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

სასურველი
IPI05N03LA
Infineon Technologies

IPI05N03LA

ნაწილი საფონდო: 6062

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 55A, 10V,

სასურველი
IPF09N03LA G
Infineon Technologies

IPF09N03LA G

ნაწილი საფონდო: 188

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
IPP04N03LB G
Infineon Technologies

IPP04N03LB G

ნაწილი საფონდო: 6063

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 55A, 10V,

სასურველი
IPU05N03LA G
Infineon Technologies

IPU05N03LA G

ნაწილი საფონდო: 171

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
IPU04N03LA
Infineon Technologies

IPU04N03LA

ნაწილი საფონდო: 142

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
SPI20N60C3XKSA1
Infineon Technologies

SPI20N60C3XKSA1

ნაწილი საფონდო: 25254

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

სასურველი
SPD01N60C3BTMA1
Infineon Technologies

SPD01N60C3BTMA1

ნაწილი საფონდო: 285

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი
IPB11N03LA G
Infineon Technologies

IPB11N03LA G

ნაწილი საფონდო: 166

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
IPP10N03LB G
Infineon Technologies

IPP10N03LB G

ნაწილი საფონდო: 144

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
IPDH5N03LA G
Infineon Technologies

IPDH5N03LA G

ნაწილი საფონდო: 146

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies

IPW60R075CPFKSA1

ნაწილი საფონდო: 286

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 26A, 10V,

სასურველი
IPP25N06S325XK
Infineon Technologies

IPP25N06S325XK

ნაწილი საფონდო: 111

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25.1 mOhm @ 15A, 10V,

სასურველი
IPU10N03LA
Infineon Technologies

IPU10N03LA

ნაწილი საფონდო: 193

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
SPB80N06S08ATMA1
Infineon Technologies

SPB80N06S08ATMA1

ნაწილი საფონდო: 203

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 80A, 10V,

სასურველი
SPB100N03S2-03 G
Infineon Technologies

SPB100N03S2-03 G

ნაწილი საფონდო: 6108

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

სასურველი
IPB45N06S3L-13
Infineon Technologies

IPB45N06S3L-13

ნაწილი საფონდო: 270

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13.1 mOhm @ 26A, 10V,

სასურველი
IPD90N03S4L02ATMA1
Infineon Technologies

IPD90N03S4L02ATMA1

ნაწილი საფონდო: 16598

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V,

სასურველი
SPP47N10
Infineon Technologies

SPP47N10

ნაწილი საფონდო: 227

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 33A, 10V,

სასურველი
SPU30N03S2-08
Infineon Technologies

SPU30N03S2-08

ნაწილი საფონდო: 227

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი