Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
IPB147N03LGATMA1
Infineon Technologies

IPB147N03LGATMA1

ნაწილი საფონდო: 800

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი
SPW07N60CFDFKSA1
Infineon Technologies

SPW07N60CFDFKSA1

ნაწილი საფონდო: 796

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 4.6A, 10V,

სასურველი
IRLR8729TRPBF
Infineon Technologies

IRLR8729TRPBF

ნაწილი საფონდო: 140819

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V,

სასურველი
IPI80N04S306AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N04S306AKSA1

ნაწილი საფონდო: 784

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

სასურველი
IRFSL4615PBF
Infineon Technologies

IRFSL4615PBF

ნაწილი საფონდო: 777

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

სასურველი
SPS02N60C3
Infineon Technologies

SPS02N60C3

ნაწილი საფონდო: 778

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

სასურველი
IRF8788TRPBF
Infineon Technologies

IRF8788TRPBF

ნაწილი საფონდო: 136642

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 24A, 10V,

სასურველი
IRF7805TRPBF
Infineon Technologies

IRF7805TRPBF

ნაწილი საფონდო: 141172

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7A, 4.5V,

სასურველი
IPI100N08N3GHKSA1
Infineon Technologies

IPI100N08N3GHKSA1

ნაწილი საფონდო: 756

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 6V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 46A, 10V,

სასურველი
IRF6718L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6718L2TR1PBF

ნაწილი საფონდო: 867

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 61A (Ta), 270A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 61A, 10V,

სასურველი
IPI08CN10N G
Infineon Technologies

IPI08CN10N G

ნაწილი საფონდო: 830

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 95A, 10V,

სასურველი
IRLS3036PBF
Infineon Technologies

IRLS3036PBF

ნაწილი საფონდო: 817

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

სასურველი
IPS075N03LGAKMA1
Infineon Technologies

IPS075N03LGAKMA1

ნაწილი საფონდო: 811

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
IPI16CN10N G
Infineon Technologies

IPI16CN10N G

ნაწილი საფონდო: 759

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 53A, 10V,

სასურველი
IPI12CN10N G
Infineon Technologies

IPI12CN10N G

ნაწილი საფონდო: 834

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

სასურველი
IPB06CN10N G
Infineon Technologies

IPB06CN10N G

ნაწილი საფონდო: 759

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 100A, 10V,

სასურველი
IRLS3034PBF
Infineon Technologies

IRLS3034PBF

ნაწილი საფონდო: 14565

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 195A, 10V,

სასურველი
SPP15N65C3HKSA1
Infineon Technologies

SPP15N65C3HKSA1

ნაწილი საფონდო: 838

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 9.4A, 10V,

სასურველი
IPP80N06S2L09AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S2L09AKSA1

ნაწილი საფონდო: 815

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 52A, 10V,

სასურველი
IPB26CN10NGATMA1
Infineon Technologies

IPB26CN10NGATMA1

ნაწილი საფონდო: 794

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

სასურველი
IPA60R520CPXKSA1
Infineon Technologies

IPA60R520CPXKSA1

ნაწილი საფონდო: 816

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

სასურველი
IRFS4115PBF
Infineon Technologies

IRFS4115PBF

ნაწილი საფონდო: 15359

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

სასურველი
IRLSL3034PBF
Infineon Technologies

IRLSL3034PBF

ნაწილი საფონდო: 826

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 195A, 10V,

სასურველი
IPP47N10SL26AKSA1
Infineon Technologies

IPP47N10SL26AKSA1

ნაწილი საფონდო: 795

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V,

სასურველი
IRFH8202TRPBF
Infineon Technologies

IRFH8202TRPBF

ნაწილი საფონდო: 97443

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 47A (Ta), 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.05 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
IPA50R399CPXKSA1
Infineon Technologies

IPA50R399CPXKSA1

ნაწილი საფონდო: 64746

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 4.9A, 10V,

სასურველი
IRFS3107PBF
Infineon Technologies

IRFS3107PBF

ნაწილი საფონდო: 11356

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V,

სასურველი
IPI070N08N3 G
Infineon Technologies

IPI070N08N3 G

ნაწილი საფონდო: 785

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 6V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 73A, 10V,

სასურველი
IRF9321TRPBF
Infineon Technologies

IRF9321TRPBF

ნაწილი საფონდო: 158648

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 15A, 10V,

სასურველი
IPI90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies

IPI90R1K0C3XKSA1

ნაწილი საფონდო: 754

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

სასურველი
IRF9335TRPBF
Infineon Technologies

IRF9335TRPBF

ნაწილი საფონდო: 114872

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5.4A, 10V,

სასურველი
IPW90R1K2C3FKSA1
Infineon Technologies

IPW90R1K2C3FKSA1

ნაწილი საფონდო: 795

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

სასურველი
IRF60B217
Infineon Technologies

IRF60B217

ნაწილი საფონდო: 39192

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 6V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 36A, 10V,

სასურველი
IPS12CN10LGBKMA1
Infineon Technologies

IPS12CN10LGBKMA1

ნაწილი საფონდო: 824

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 69A, 10V,

სასურველი
IPI60R520CPAKSA1
Infineon Technologies

IPI60R520CPAKSA1

ნაწილი საფონდო: 786

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

სასურველი
IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L06ATMA1

ნაწილი საფონდო: 781

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 69A, 10V,

სასურველი