ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

BSC240N12NS3 G

ნაწილი საფონდო: 1398

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 120V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 31A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSV236SPH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 144710

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA2

ნაწილი საფონდო: 137721

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS806NEH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 133510

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 2.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSL307SPH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 173921

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSR302NL6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 147786

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSP149H6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 151561

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 660mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA2

ნაწილი საფონდო: 139015

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSR315PH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 154692

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 620mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSP300H6327XUSA1

ნაწილი საფონდო: 149949

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 800V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BUZ73LHXKSA1

ნაწილი საფონდო: 1204

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BUZ73ALHXKSA1

ნაწილი საფონდო: 1178

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BUZ73A H3046

ნაწილი საფონდო: 1626

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BUZ73A H

ნაწილი საფონდო: 1233

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BUZ73HXKSA1

ნაწილი საფონდო: 1190

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BUZ73H3046XKSA1

ნაწილი საფონდო: 1217

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BUZ31L H

ნაწილი საფონდო: 1152

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BUZ31HXKSA1

ნაწილი საფონდო: 1196

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 1174

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSC0908NSATMA1

ნაწილი საფონდო: 1017

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 34V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 49A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS816NW L6327

ნაწილი საფონდო: 875

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 2.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS314PEL6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 879

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS806NL6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 961

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 2.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS159NH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 894

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 920

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 899

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSF083N03LQ G

ნაწილი საფონდო: 6168

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 53A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSF053N03LT G

ნაწილი საფონდო: 917

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 71A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSB024N03LX G

ნაწილი საფონდო: 881

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 145A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSB053N03LP G

ნაწილი საფონდო: 882

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 71A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSB019N03LX G

ნაწილი საფონდო: 1636

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 174A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSS205NL6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 867

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSO220N03MSGXUMA1

ნაწილი საფონდო: 941

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.6A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSL802SNL6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 843

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 2.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSL302SNL6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 912

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,

სასურველი

Infineon Technologies

BSD214SN L6327

ნაწილი საფონდო: 923

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

სასურველი