მეხსიერება

AS4C32M16D2-25BIN

AS4C32M16D2-25BIN

ნაწილი საფონდო: 14021

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

ნაწილი საფონდო: 8593

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16D2-25BCN

AS4C32M16D2-25BCN

ნაწილი საფონდო: 8583

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS6C4016A-55BIN

AS6C4016A-55BIN

ნაწილი საფონდო: 8529

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C16M16D1-5TIN

AS4C16M16D1-5TIN

ნაწილი საფონდო: 4887

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C4M16D1-5TIN

AS4C4M16D1-5TIN

ნაწილი საფონდო: 8523

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C1024B-12TJIN

AS7C1024B-12TJIN

ნაწილი საფონდო: 8517

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

ნაწილი საფონდო: 10330

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (32M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C3256B-10TIN

AS7C3256B-10TIN

ნაწილი საფონდო: 4860

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS6C6264A-70SIN

AS6C6264A-70SIN

ნაწილი საფონდო: 8477

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
AS6C6264A-70PIN

AS6C6264A-70PIN

ნაწილი საფონდო: 8521

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
AS6C6264A-70PCN

AS6C6264A-70PCN

ნაწილი საფონდო: 8402

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
AS6C6264A-70SCN

AS6C6264A-70SCN

ნაწილი საფონდო: 8392

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
AS4C8M16S-6TAN

AS4C8M16S-6TAN

ნაწილი საფონდო: 8266

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C4M16S-6TCN

AS4C4M16S-6TCN

ნაწილი საფონდო: 4904

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C64M8SA-7TCN

AS4C64M8SA-7TCN

ნაწილი საფონდო: 8243

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
AS4C16M16S-6TCN

AS4C16M16S-6TCN

ნაწილი საფონდო: 8174

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C64M16MD1-6BINTR

AS4C64M16MD1-6BINTR

ნაწილი საფონდო: 13684

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16MD1-6BCNTR

AS4C64M16MD1-6BCNTR

ნაწილი საფონდო: 15196

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C4M16S-6TAN

AS4C4M16S-6TAN

ნაწილი საფონდო: 8139

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C16M16S-6TAN

AS4C16M16S-6TAN

ნაწილი საფონდო: 8159

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C4M32S-7TCNTR

AS4C4M32S-7TCNTR

ნაწილი საფონდო: 4839

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C256M8D3-12BCNTR

AS4C256M8D3-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 8147

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

ნაწილი საფონდო: 8136

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C32M16MD1-5BCNTR

AS4C32M16MD1-5BCNTR

ნაწილი საფონდო: 8067

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

ნაწილი საფონდო: 8066

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D3-12BINTR

AS4C64M16D3-12BINTR

ნაწილი საფონდო: 8037

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C512M8D3-12BCNTR

AS4C512M8D3-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 8081

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D3-12BCNTR

AS4C128M8D3-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 8017

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M16D3-12BINTR

AS4C128M16D3-12BINTR

ნაწილი საფონდო: 8041

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M16D3L-12BCNTR

AS4C128M16D3L-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 7993

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C2M32S-7TCNTR

AS4C2M32S-7TCNTR

ნაწილი საფონდო: 4895

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C64M16D2-25BINTR

AS4C64M16D2-25BINTR

ნაწილი საფონდო: 17906

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16D2-25BCNTR

AS4C32M16D2-25BCNTR

ნაწილი საფონდო: 4841

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16D2-25BINTR

AS4C32M16D2-25BINTR

ნაწილი საფონდო: 4793

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D2-25BCNTR

AS4C64M16D2-25BCNTR

ნაწილი საფონდო: 20017

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი