მეხსიერება

AS4C32M16SA-7TCN

AS4C32M16SA-7TCN

ნაწილი საფონდო: 4991

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C4M32D1-5BIN

AS4C4M32D1-5BIN

ნაწილი საფონდო: 7648

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C2M32D1-5BIN

AS4C2M32D1-5BIN

ნაწილი საფონდო: 5706

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C2M32D1-5BCN

AS4C2M32D1-5BCN

ნაწილი საფონდო: 5744

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C4M16D1A-5TAN

AS4C4M16D1A-5TAN

ნაწილი საფონდო: 5735

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C2M32D1-5TIN

AS4C2M32D1-5TIN

ნაწილი საფონდო: 5652

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C2M32D1-5TCN

AS4C2M32D1-5TCN

ნაწილი საფონდო: 5664

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D1A-6TCNTR

AS4C64M16D1A-6TCNTR

ნაწილი საფონდო: 5230

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M32MD1-5BINTR

AS4C32M32MD1-5BINTR

ნაწილი საფონდო: 10661

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (32M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C31025C-12TJINTR

AS7C31025C-12TJINTR

ნაწილი საფონდო: 8307

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

ნაწილი საფონდო: 9912

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (32M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

ნაწილი საფონდო: 14176

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (32M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16MD1-5BIN

AS4C32M16MD1-5BIN

ნაწილი საფონდო: 6838

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16MD1-5BINTR

AS4C32M16MD1-5BINTR

ნაწილი საფონდო: 8302

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C256M8D3-15BCN

AS4C256M8D3-15BCN

ნაწილი საფონდო: 14509

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

ნაწილი საფონდო: 5393

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C38098A-10BIN

AS7C38098A-10BIN

ნაწილი საფონდო: 5289

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C38096A-10TIN

AS7C38096A-10TIN

ნაწილი საფონდო: 5256

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C38098A-10TIN

AS7C38098A-10TIN

ნაწილი საფონდო: 5294

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS4C64M16MD1-6BIN

AS4C64M16MD1-6BIN

ნაწილი საფონდო: 9947

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16MD1-6BCN

AS4C64M16MD1-6BCN

ნაწილი საფონდო: 11066

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C31026C-10BIN

AS7C31026C-10BIN

ნაწილი საფონდო: 5609

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

ნაწილი საფონდო: 5936

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

ნაწილი საფონდო: 5586

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16MD1-5BCN

AS4C32M16MD1-5BCN

ნაწილი საფონდო: 16082

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C31026C-10BINTR

AS7C31026C-10BINTR

ნაწილი საფონდო: 5606

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS4C64M16D3L-12BCNTR

AS4C64M16D3L-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 5531

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D3L-12BINTR

AS4C64M16D3L-12BINTR

ნაწილი საფონდო: 5551

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D3-12BCNTR

AS4C64M16D3-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 5568

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C512M8D3L-12BCNTR

AS4C512M8D3L-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 5493

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C512M8D3L-12BINTR

AS4C512M8D3L-12BINTR

ნაწილი საფონდო: 5521

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D3-12BANTR

AS4C64M16D3-12BANTR

ნაწილი საფონდო: 5511

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C512M8D3-12BANTR

AS4C512M8D3-12BANTR

ნაწილი საფონდო: 5457

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C512M8D3-12BINTR

AS4C512M8D3-12BINTR

ნაწილი საფონდო: 5425

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16SM-7TINTR

AS4C32M16SM-7TINTR

ნაწილი საფონდო: 5483

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

ნაწილი საფონდო: 5388

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი