მეხსიერება

AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

ნაწილი საფონდო: 127

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

ნაწილი საფონდო: 139

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (16M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS6C8008A-45ZINTR

AS6C8008A-45ZINTR

ნაწილი საფონდო: 16763

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

ნაწილი საფონდო: 16675

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

ნაწილი საფონდო: 1392

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
AS7C34098B-10BIN

AS7C34098B-10BIN

ნაწილი საფონდო: 868

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS4C32M16D1-5TIN

AS4C32M16D1-5TIN

ნაწილი საფონდო: 16780

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C4M32D1A-5BIN

AS4C4M32D1A-5BIN

ნაწილი საფონდო: 16815

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

ნაწილი საფონდო: 16799

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS6C8008A-45BINTR

AS6C8008A-45BINTR

ნაწილი საფონდო: 16998

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
AS6C4016-55ZIN

AS6C4016-55ZIN

ნაწილი საფონდო: 17235

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C32M16D1A-5TIN

AS4C32M16D1A-5TIN

ნაწილი საფონდო: 17242

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C32096A-10TCN

AS7C32096A-10TCN

ნაწილი საფონდო: 19748

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C34098A-20TIN

AS7C34098A-20TIN

ნაწილი საფონდო: 17709

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C34098A-20JIN

AS7C34098A-20JIN

ნაწილი საფონდო: 17777

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C4098A-20JCN

AS7C4098A-20JCN

ნაწილი საფონდო: 17714

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C4096A-20TCN

AS7C4096A-20TCN

ნაწილი საფონდო: 17759

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C34098A-20JCN

AS7C34098A-20JCN

ნაწილი საფონდო: 17736

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C4096A-20TIN

AS7C4096A-20TIN

ნაწილი საფონდო: 17778

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C4096A-20JIN

AS7C4096A-20JIN

ნაწილი საფონდო: 17715

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C34096A-20TIN

AS7C34096A-20TIN

ნაწილი საფონდო: 17746

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C34096A-20JCN

AS7C34096A-20JCN

ნაწილი საფონდო: 17726

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C4096A-20JCN

AS7C4096A-20JCN

ნაწილი საფონდო: 17712

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C34098A-20TCN

AS7C34098A-20TCN

ნაწილი საფონდო: 17779

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C34096A-20JIN

AS7C34096A-20JIN

ნაწილი საფონდო: 17785

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C4098A-20TIN

AS7C4098A-20TIN

ნაწილი საფონდო: 17762

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C4098A-20TCN

AS7C4098A-20TCN

ნაწილი საფონდო: 17741

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C34096A-20TCN

AS7C34096A-20TCN

ნაწილი საფონდო: 17797

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS7C4098A-20JIN

AS7C4098A-20JIN

ნაწილი საფონდო: 17730

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
AS4C128M16D3LB-12BCNTR

AS4C128M16D3LB-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 17302

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D2A-25BINTR

AS4C128M8D2A-25BINTR

ნაწილი საფონდო: 102

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D3LB-12BINTR

AS4C128M8D3LB-12BINTR

ნაწილი საფონდო: 131

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D2-25BINTR

AS4C128M8D2-25BINTR

ნაწილი საფონდო: 17288

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D3B-12BINTR

AS4C128M8D3B-12BINTR

ნაწილი საფონდო: 134

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M16D3B-12BCNTR

AS4C128M16D3B-12BCNTR

ნაწილი საფონდო: 17253

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

ნაწილი საფონდო: 72

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი