მეხსიერება

AS6C8016A-55BIN

AS6C8016A-55BIN

ნაწილი საფონდო: 12964

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

ნაწილი საფონდო: 10825

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
AS4C64M8D2-25BIN

AS4C64M8D2-25BIN

ნაწილი საფონდო: 13275

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

ნაწილი საფონდო: 14008

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C64M16D2A-25BIN

AS4C64M16D2A-25BIN

ნაწილი საფონდო: 13480

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C4M32SA-6TIN

AS4C4M32SA-6TIN

ნაწილი საფონდო: 13988

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C2M32S-6BIN

AS4C2M32S-6BIN

ნაწილი საფონდო: 14281

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS6C8016-55TINTR

AS6C8016-55TINTR

ნაწილი საფონდო: 135

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C64M16MD1A-5BIN

AS4C64M16MD1A-5BIN

ნაწილი საფონდო: 138

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS6C4008-55PIN

AS6C4008-55PIN

ნაწილი საფონდო: 13931

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C128M8D3L-12BIN

AS4C128M8D3L-12BIN

ნაწილი საფონდო: 13915

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C32096A-10TIN

AS7C32096A-10TIN

ნაწილი საფონდო: 15685

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

ნაწილი საფონდო: 14090

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS7C34096A-10JCN

AS7C34096A-10JCN

ნაწილი საფონდო: 14077

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C4098A-12JIN

AS7C4098A-12JIN

ნაწილი საფონდო: 14067

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS7C34098A-10JIN

AS7C34098A-10JIN

ნაწილი საფონდო: 14114

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
AS7C4096A-15JIN

AS7C4096A-15JIN

ნაწილი საფონდო: 17709

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS7C4096A-12JIN

AS7C4096A-12JIN

ნაწილი საფონდო: 14076

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS7C34096A-12JCN

AS7C34096A-12JCN

ნაწილი საფონდო: 14045

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C64M16D3LB-12BAN

AS4C64M16D3LB-12BAN

ნაწილი საფონდო: 141

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D2-25BCN

AS4C128M8D2-25BCN

ნაწილი საფონდო: 14359

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

ნაწილი საფონდო: 14985

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

ნაწილი საფონდო: 1202

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

ნაწილი საფონდო: 1591

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C64M16D2A-25BAN

AS4C64M16D2A-25BAN

ნაწილი საფონდო: 128

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C256M8D3LB-12BCN

AS4C256M8D3LB-12BCN

ნაწილი საფონდო: 113

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

ნაწილი საფონდო: 14878

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 2ns,

სასურველი
AS4C128M8D3B-12BANTR

AS4C128M8D3B-12BANTR

ნაწილი საფონდო: 67

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D3LB-12BANTR

AS4C128M8D3LB-12BANTR

ნაწილი საფონდო: 64

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

ნაწილი საფონდო: 109

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
AS6C8016-55ZINTR

AS6C8016-55ZINTR

ნაწილი საფონდო: 14645

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS6C8008-55ZINTR

AS6C8008-55ZINTR

ნაწილი საფონდო: 14566

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

ნაწილი საფონდო: 15267

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
AS4C128M8D3LA-12BCN

AS4C128M8D3LA-12BCN

ნაწილი საფონდო: 14640

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C32M32MD1A-5BINTR

AS4C32M32MD1A-5BINTR

ნაწილი საფონდო: 164

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (32M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
AS4C128M8D3-12BIN

AS4C128M8D3-12BIN

ნაწილი საფონდო: 14768

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი