დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 25

MBRT400200

ნაწილი საფონდო: 2222

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)D

ნაწილი საფონდო: 1856

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR400100CTR

ნაწილი საფონდო: 1349

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MSRTA20060(A)D

ნაწილი საფონდო: 1235

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A080

ნაწილი საფონდო: 4336

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURT30010R

ნაწილი საფონდო: 1141

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA40060R

ნაწილი საფონდო: 949

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTR

ნაწილი საფონდო: 1298

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT12040

ნაწილი საფონდო: 1835

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTR

ნაწილი საფონდო: 1426

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MUR30020CTR

ნაწილი საფონდო: 1311

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURT20010R

ნაწილი საფონდო: 1196

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR500150CT

ნაწილი საფონდო: 1181

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT120150R

ნაწილი საფონდო: 1882

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT50045

ნაწილი საფონდო: 1103

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT20030

ნაწილი საფონდო: 1588

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A10

ნაწილი საფონდო: 2905

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.35V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR20030CT

ნაწილი საფონდო: 1543

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURT40005R

ნაწილი საფონდო: 1065

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FST120150

ნაწილი საფონდო: 1674

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT400150

ნაწილი საფონდო: 1541

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURT20060

ნაწილი საფონდო: 1254

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150

ნაწილი საფონდო: 1540

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MSRT200100(A)

ნაწილი საფონდო: 1517

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA500120

ნაწილი საფონდო: 941

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.6V @ 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT30040

ნაწილი საფონდო: 1272

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR300150CT

ნაწილი საფონდო: 1488

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURT40060R

ნაწილი საფონდო: 1085

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA500120R

ნაწილი საფონდო: 984

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.6V @ 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA300120R

ნაწილი საფონდო: 986

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.6V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT20020

ნაწილი საფონდო: 1623

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA30020

ნაწილი საფონდო: 1027

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A12

ნაწილი საფონდო: 4218

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.35V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)

ნაწილი საფონდო: 1484

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A180

ნაწილი საფონდო: 3494

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 180V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA50060

ნაწილი საფონდო: 997

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი