კრისტალები

FC1BACBEI20.0-T3

FC1BACBEI20.0-T3

ნაწილი საფონდო: 112

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
FC3BQBBMM12.0-T1

FC3BQBBMM12.0-T1

ნაწილი საფონდო: 175

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC4STCBMF8.0-BAG200

FC4STCBMF8.0-BAG200

ნაწილი საფონდო: 26112

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC3BQBBMM24.0-T1

FC3BQBBMM24.0-T1

ნაწილი საფონდო: 4352

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC4STCBMF11.0592-BAG200

FC4STCBMF11.0592-BAG200

ნაწილი საფონდო: 8529

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 11.0592MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC3BQBBMM25.0-T1

FC3BQBBMM25.0-T1

ნაწილი საფონდო: 166

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC4STCBMF12.0-BAG200

FC4STCBMF12.0-BAG200

ნაწილი საფონდო: 107

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC4STCBMF24.576-BAG200

FC4STCBMF24.576-BAG200

ნაწილი საფონდო: 5258

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC4STCBMF3.6864-BAG200

FC4STCBMF3.6864-BAG200

ნაწილი საფონდო: 2791

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 3.6864MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
FC4STCBMF14.31818-BAG200

FC4STCBMF14.31818-BAG200

ნაწილი საფონდო: 3690

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FKFSREIHM0.032768-T3

FKFSREIHM0.032768-T3

ნაწილი საფონდო: 58768

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 kOhms,

სასურველი
FC4STCBMF12.288-BAG200

FC4STCBMF12.288-BAG200

ნაწილი საფონდო: 1390

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.288MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC4STCBAF8.0-BAG200

FC4STCBAF8.0-BAG200

ნაწილი საფონდო: 7449

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC4STCBMF4.0-BAG200

FC4STCBMF4.0-BAG200

ნაწილი საფონდო: 4525

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
FC2BACBEI16.0-T3

FC2BACBEI16.0-T3

ნაწილი საფონდო: 79

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
FC3BACBDI16.0-T3

FC3BACBDI16.0-T3

ნაწილი საფონდო: 127

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM24.576-T1

FC4SDCBMM24.576-T1

ნაწილი საფონდო: 109

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM10.0-T1

FC4SDCBMM10.0-T1

ნაწილი საფონდო: 69

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM7.3728-T1

FC4SDCBMM7.3728-T1

ნაწილი საფონდო: 114

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 7.3728MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM11.0592-T1

FC4SDCBMM11.0592-T1

ნაწილი საფონდო: 149

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 11.0592MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM20.0-T1

FC4SDCBMM20.0-T1

ნაწილი საფონდო: 86

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC3BQBBME12.0-T3

FC3BQBBME12.0-T3

ნაწილი საფონდო: 92

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM14.31818-T1

FC4SDCBMM14.31818-T1

ნაწილი საფონდო: 136

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM12.0-T1

FC4SDCBMM12.0-T1

ნაწილი საფონდო: 106

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM16.0-T1

FC4SDCBMM16.0-T1

ნაწილი საფონდო: 168

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM8.0-T1

FC4SDCBMM8.0-T1

ნაწილი საფონდო: 62415

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM6.0-T1

FC4SDCBMM6.0-T1

ნაწილი საფონდო: 150

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM25.0-T1

FC4SDCBMM25.0-T1

ნაწილი საფონდო: 106

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM3.6864-T1

FC4SDCBMM3.6864-T1

ნაწილი საფონდო: 118

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 3.6864MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
FC3BACAGI16.0-T3

FC3BACAGI16.0-T3

ნაწილი საფონდო: 78

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM24.0-T1

FC4SDCBMM24.0-T1

ნაწილი საფონდო: 82

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC3BACALI16.0-T3

FC3BACALI16.0-T3

ნაწილი საფონდო: 115

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMM4.0-T1

FC4SDCBMM4.0-T1

ნაწილი საფონდო: 93

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMF20.0-T1

FC4SDCBMF20.0-T1

ნაწილი საფონდო: 90

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC4SDCBMF22.1184-T1

FC4SDCBMF22.1184-T1

ნაწილი საფონდო: 162

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC4STCBAF11.0592-BAG200

FC4STCBAF11.0592-BAG200

ნაწილი საფონდო: 147

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 11.0592MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი