კრისტალები

FC5BSBBMD12.0-T1

FC5BSBBMD12.0-T1

ნაწილი საფონდო: 93

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 140 Ohms,

სასურველი
FC5BSBBMD24.0-T1

FC5BSBBMD24.0-T1

ნაწილი საფონდო: 116

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBRF2.4576-BAG100

FC4UTCBRF2.4576-BAG100

ნაწილი საფონდო: 26930

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 2.4576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 32pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 300 Ohms,

სასურველი
FCABSFEVK38.4

FCABSFEVK38.4

ნაწილი საფონდო: 9952

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FK161EIHM0.032768-T5

FK161EIHM0.032768-T5

ნაწილი საფონდო: 134

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 90 kOhms,

სასურველი
FC8ACBBJM3.579545-BULK

FC8ACBBJM3.579545-BULK

ნაწილი საფონდო: 142

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 3.579545MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 140 Ohms,

სასურველი
FC8AQCCMM3.6864-T1

FC8AQCCMM3.6864-T1

ნაწილი საფონდო: 8604

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 3.6864MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
FC8AQCCMM6.0-T1

FC8AQCCMM6.0-T1

ნაწილი საფონდო: 134

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
FC4SBDMD24.0-T1

FC4SBDMD24.0-T1

ნაწილი საფონდო: 66

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC5BSBBMD24.576-T1

FC5BSBBMD24.576-T1

ნაწილი საფონდო: 116

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC5BSBBMD11.0592-T1

FC5BSBBMD11.0592-T1

ნაწილი საფონდო: 118

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 11.0592MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 140 Ohms,

სასურველი
FC4SBDMD20.0-T1

FC4SBDMD20.0-T1

ნაწილი საფონდო: 129

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FCABSFEVK52.0

FCABSFEVK52.0

ნაწილი საფონდო: 9994

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 52MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FCABSFEVK37.4

FCABSFEVK37.4

ნაწილი საფონდო: 9928

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC4BSMMD24.576-T1

FC4BSMMD24.576-T1

ნაწილი საფონდო: 143

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC5BSBBMD20.0-T1

FC5BSBBMD20.0-T1

ნაწილი საფონდო: 151

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
FC7BQCCMM7.3728-T1

FC7BQCCMM7.3728-T1

ნაწილი საფონდო: 4377

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 7.3728MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBAF16.0-BAG100

FC4UTCBAF16.0-BAG100

ნაწილი საფონდო: 5077

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 25 Ohms,

სასურველი
FC8AQCCMC4.0-T1

FC8AQCCMC4.0-T1

ნაწილი საფონდო: 55910

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
FC8AQCCMC6.0-T1

FC8AQCCMC6.0-T1

ნაწილი საფონდო: 16542

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
FC7BQCCMC7.3728-T1

FC7BQCCMC7.3728-T1

ნაწილი საფონდო: 24330

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 7.3728MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBMF25.0-BAG100

FC4UTCBMF25.0-BAG100

ნაწილი საფონდო: 2380

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 20 Ohms,

სასურველი
FC3BQBBMM20.0-T1

FC3BQBBMM20.0-T1

ნაწილი საფონდო: 150

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBMF4.0-BAG100

FC4UTCBMF4.0-BAG100

ნაწილი საფონდო: 8555

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBAF4.0-BAG100

FC4UTCBAF4.0-BAG100

ნაწილი საფონდო: 4219

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBMF16.0-BAG100

FC4UTCBMF16.0-BAG100

ნაწილი საფონდო: 238

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 25 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBMF10.0-BAG100

FC4UTCBMF10.0-BAG100

ნაწილი საფონდო: 10476

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBMF12.0-BAG100

FC4UTCBMF12.0-BAG100

ნაწილი საფონდო: 3694

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FK12AEIHI0.032768-T3

FK12AEIHI0.032768-T3

ნაწილი საფონდო: 9941

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 90 kOhms,

სასურველი
FC8AQCCMC3.6864-T1

FC8AQCCMC3.6864-T1

ნაწილი საფონდო: 9906

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 3.6864MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBMF11.0592-BAG100

FC4UTCBMF11.0592-BAG100

ნაწილი საფონდო: 5717

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 11.0592MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBAF11.0592-BAG100

FC4UTCBAF11.0592-BAG100

ნაწილი საფონდო: 8053

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 11.0592MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
FC3BQBBMM16.0-T1

FC3BQBBMM16.0-T1

ნაწილი საფონდო: 79

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
FC7BQCCMM6.0-T1

FC7BQCCMM6.0-T1

ნაწილი საფონდო: 4387

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
FC7BACBMI25.0-T1

FC7BACBMI25.0-T1

ნაწილი საფონდო: 95

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
FC4UTCBAF12.0-BAG100

FC4UTCBAF12.0-BAG100

ნაწილი საფონდო: 4999

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: Series, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი