ფერიტის ბირთვები

E18/4/10-3C95-A160-E

E18/4/10-3C95-A160-E

ნაწილი საფონდო: 240

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 18 x 4 x 10,

სასურველი
RM10/I-3C90-A160

RM10/I-3C90-A160

ნაწილი საფონდო: 253

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 10 x 1,

სასურველი
E35/18/10-3C95-G200

E35/18/10-3C95-G200

ნაწილი საფონდო: 208

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 35 x 18 x 10,

სასურველი
E18/4/10/R-3C95-A250-P

E18/4/10/R-3C95-A250-P

ნაწილი საფონდო: 231

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 18 x 4 x 10,

სასურველი
E71/33/32-3C92-G500

E71/33/32-3C92-G500

ნაწილი საფონდო: 270

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 71 x 33 x 32,

სასურველი
E38/8/25-3C97-A400-P

E38/8/25-3C97-A400-P

ნაწილი საფონდო: 259

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 38 x 8 x 25,

სასურველი
RM10/I-3C90-A900

RM10/I-3C90-A900

ნაწილი საფონდო: 220

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 900nH, ტოლერანტობა: ±4%, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 10 x 1,

სასურველი
ETD54/28/19-3F36

ETD54/28/19-3F36

ნაწილი საფონდო: 242

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 54 x 28 x 19,

სასურველი
RM8/I-3C96-A250

RM8/I-3C96-A250

ნაწილი საფონდო: 280

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 250nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
ROD8/150-4B1

ROD8/150-4B1

ნაწილი საფონდო: 243

ბირთვის ტიპი: ROD, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 8.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): ROD 8 x 150,

სასურველი
EFD12/6/3.5-3F46-A63-S

EFD12/6/3.5-3F46-A63-S

ნაწილი საფონდო: 247

ბირთვის ტიპი: EFD, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 63nH, ტოლერანტობა: ±5%, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 12 x 6 x 3.5,

სასურველი
EC35/17/10-3C91

EC35/17/10-3C91

ნაწილი საფონდო: 239

ბირთვის ტიპი: EC, უფსკრული: 3C91, საწყისი გამტარიანობა (μi): EC 35 x 17 x 10,

სასურველი
E58/11/38-3C95-A630-P

E58/11/38-3C95-A630-P

ნაწილი საფონდო: 210

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 58 x 11 x 38,

სასურველი
PLT22/16/2.5-3F36

PLT22/16/2.5-3F36

ნაწილი საფონდო: 195

ბირთვის ტიპი: PLT, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): PLT 22 x 16 x 2.5,

სასურველი
RM6S/I-3C90-A315

RM6S/I-3C90-A315

ნაწილი საფონდო: 249

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 6,

სასურველი
ER40/22/13-3C94-G200

ER40/22/13-3C94-G200

ნაწილი საფონდო: 195

ბირთვის ტიპი: ER, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 40 x 22 x 13,

სასურველი
ETD39/20/13-3C95-G200

ETD39/20/13-3C95-G200

ნაწილი საფონდო: 209

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 39 x 20 x 13,

სასურველი
RM14/I-3F36

RM14/I-3F36

ნაწილი საფონდო: 229

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 14,

სასურველი
EFD30/15/9-3C96-A250

EFD30/15/9-3C96-A250

ნაწილი საფონდო: 265

ბირთვის ტიპი: EFD, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 30 x 15 x 9,

სასურველი
RM5/I-3C96-A160

RM5/I-3C96-A160

ნაწილი საფონდო: 193

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 160nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 5,

სასურველი
EFD15/8/5-3C95-A63-S

EFD15/8/5-3C95-A63-S

ნაწილი საფონდო: 219

ბირთვის ტიპი: EFD, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 63nH, ტოლერანტობა: ±4%, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 15 x 8 x 5,

სასურველი
E32/6/20/R-3C95-A630-P

E32/6/20/R-3C95-A630-P

ნაწილი საფონდო: 227

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 32 x 6 x 20,

სასურველი
RM5/I-3C90-A250

RM5/I-3C90-A250

ნაწილი საფონდო: 246

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 5,

სასურველი
E38/8/25-3C95-A400-P

E38/8/25-3C95-A400-P

ნაწილი საფონდო: 222

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 38 x 8 x 25,

სასურველი
E14/3.5/5/R-3C92-A63-P

E14/3.5/5/R-3C92-A63-P

ნაწილი საფონდო: 224

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 14 x 3.5 x 5,

სასურველი
EC70/34/17-3C91

EC70/34/17-3C91

ნაწილი საფონდო: 269

ბირთვის ტიპი: EC, უფსკრული: 3C91, საწყისი გამტარიანობა (μi): EC 70 x 34 x 17,

სასურველი
PLT32/20/3.2-3C95

PLT32/20/3.2-3C95

ნაწილი საფონდო: 271

ბირთვის ტიპი: PLT, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): PLT 32 x 20 x 3.2,

სასურველი
RM4/I-3C94-A100

RM4/I-3C94-A100

ნაწილი საფონდო: 204

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 100nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 4,

სასურველი
RM14/I-3F36-E400

RM14/I-3F36-E400

ნაწილი საფონდო: 225

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 400nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 14,

სასურველი
ER32/6/25-3C95

ER32/6/25-3C95

ნაწილი საფონდო: 188

ბირთვის ტიპი: ER, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 32 x 6 x 25,

სასურველი
E14/3.5/5/R-3C96-A63-P

E14/3.5/5/R-3C96-A63-P

ნაწილი საფონდო: 237

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 14 x 3.5 x 5,

სასურველი
E38/8/25-3C96-A250-E

E38/8/25-3C96-A250-E

ნაწილი საფონდო: 214

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 38 x 8 x 25,

სასურველი
E32/6/20/R-3C92-A250-P

E32/6/20/R-3C92-A250-P

ნაწილი საფონდო: 278

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 32 x 6 x 20,

სასურველი
PQ32/25-3C96

PQ32/25-3C96

ნაწილი საფონდო: 210

ბირთვის ტიპი: PQ, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 32 x 25,

სასურველი
U93/76/30-3C90

U93/76/30-3C90

ნაწილი საფონდო: 262

ბირთვის ტიპი: U, საწყისი გამტარიანობა (μi): U 93 x 76 x 30,

სასურველი
EQ30-3C96

EQ30-3C96

ნაწილი საფონდო: 255

ბირთვის ტიპი: EQ, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): EQ 30,

სასურველი