ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

EPC2001

ნაწილი საფონდო: 18487

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

სასურველი

EPC2049ENGRT

ნაწილი საფონდო: 4397

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 5V,

სასურველი

EPC2021

ნაწილი საფონდო: 14286

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

სასურველი

EPC2025

ნაწილი საფონდო: 1945

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 300V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,

სასურველი

EPC2031

ნაწილი საფონდო: 8638

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

სასურველი

EPC2018

ნაწილი საფონდო: 8926

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

სასურველი

EPC2016

ნაწილი საფონდო: 50068

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

სასურველი

EPC2051ENGRT

ნაწილი საფონდო: 10801

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.7A, წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 5V,

სასურველი

EPC8004

ნაწილი საფონდო: 28614

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

სასურველი

EPC8009

ნაწილი საფონდო: 27880

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 65V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

სასურველი

EPC2030ENGRT

ნაწილი საფონდო: 16295

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

სასურველი

EPC2007

ნაწილი საფონდო: 69589

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

სასურველი

EPC2015

ნაწილი საფონდო: 18703

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

სასურველი

EPC2031ENGRT

ნაწილი საფონდო: 17048

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

სასურველი

EPC2012

ნაწილი საფონდო: 54098

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

სასურველი

EPC2010

ნაწილი საფონდო: 9929

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

სასურველი

EPC2022

ნაწილი საფონდო: 14027

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

სასურველი

EPC2024

ნაწილი საფონდო: 14687

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

სასურველი

EPC2033

ნაწილი საფონდო: 13722

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

სასურველი

EPC2032

ნაწილი საფონდო: 16483

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 5V,

სასურველი

EPC2020

ნაწილი საფონდო: 14515

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

სასურველი

EPC2029

ნაწილი საფონდო: 16856

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

სასურველი

EPC2034

ნაწილი საფონდო: 7981

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 48A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 5V,

სასურველი

EPC2035

ნაწილი საფონდო: 195456

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 5V,

სასურველი

EPC2023

ნაწილი საფონდო: 18953

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

სასურველი

EPC2015C

ნაწილი საფონდო: 30169

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 53A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

სასურველი

EPC2014

ნაწილი საფონდო: 74091

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 5V,

სასურველი

EPC2030

ნაწილი საფონდო: 22960

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

სასურველი

EPC8010

ნაწილი საფონდო: 46864

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

სასურველი

EPC2045ENGRT

ნაწილი საფონდო: 26260

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 5V,

სასურველი

EPC2010C

ნაწილი საფონდო: 17919

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 5V,

სასურველი

EPC2012C

ნაწილი საფონდო: 54040

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

სასურველი

EPC2001C

ნაწილი საფონდო: 31126

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

სასურველი

EPC2202

ნაწილი საფონდო: 48425

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 18A, წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11A, 5V,

სასურველი

EPC2019

ნაწილი საფონდო: 37744

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 5V,

სასურველი

EPC2007C

ნაწილი საფონდო: 74756

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: GaNFET (Gallium Nitride), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

სასურველი

45

«
1
2
»