| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | GaNFET (Gallium Nitride) |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 5V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 800µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 1.15nC @ 5V |
| Vgs (მაქს) | +6V, -4V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 115pF @ 30V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | - |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Die |
| პაკეტი / კორპუსი | Die |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
