რეზისტორული ქსელები, მასივები

752083473GPTR7

752083473GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54388

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752163102GPTR7

752163102GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54426

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752163151GPTR7

752163151GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54443

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752123470GPTR7

752123470GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54430

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752163221GPTR7

752163221GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54372

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752103752GPTR7

752103752GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54363

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752163103GPTR7

752163103GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54395

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752103121GPTR7

752103121GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54413

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752083104GPTR7

752083104GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54357

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752083103JPTR7

752083103JPTR7

ნაწილი საფონდო: 54432

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752243450GPTR7

752243450GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54435

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 45, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
752103101GPTR7

752103101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54407

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752103332GPTR7

752103332GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54415

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752083220GPTR7

752083220GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54446

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752123332GPTR7

752123332GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54378

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752163152GPTR7

752163152GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54423

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752163470GPTR7A

752163470GPTR7A

ნაწილი საფონდო: 54403

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752203101GPTR7

752203101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54419

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 10,

სასურველი
752103330GPTR7

752103330GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54432

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752083472GPTR7

752083472GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54421

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752083221GPTR7

752083221GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54434

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752083102JPTR7

752083102JPTR7

ნაწილი საფონდო: 54371

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752203331GPTR7

752203331GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54407

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 10,

სასურველი
752103472GPTR7

752103472GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54433

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752163472GPTR7

752163472GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54448

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752083102GPTR7

752083102GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54379

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752163220GPTR7

752163220GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54422

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752083332GPTR7

752083332GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54361

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
753181103GPTR13

753181103GPTR13

ნაწილი საფონდო: 56250

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
753091510GPTR13

753091510GPTR13

ნაწილი საფონდო: 56300

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753091101GPTR13

753091101GPTR13

ნაწილი საფონდო: 56308

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753201103GPTR13

753201103GPTR13

ნაწილი საფონდო: 56330

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 18,

სასურველი
753091102GPTR13

753091102GPTR13

ნაწილი საფონდო: 56297

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753091473GPTR13

753091473GPTR13

ნაწილი საფონდო: 56307

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753091223GPTR13

753091223GPTR13

ნაწილი საფონდო: 56308

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753091103GPTR13

753091103GPTR13

ნაწილი საფონდო: 56347

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი