რეზისტორული ქსელები, მასივები

752091223JPTR7

752091223JPTR7

ნაწილი საფონდო: 52963

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752081472GPTR7

752081472GPTR7

ნაწილი საფონდო: 52985

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
752201223JPTR7

752201223JPTR7

ნაწილი საფონდო: 52972

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 18,

სასურველი
753105181APTR13

753105181APTR13

ნაწილი საფონდო: 54591

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
753125131APTR13

753125131APTR13

ნაწილი საფონდო: 54569

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 20,

სასურველი
753125191APTR13

753125191APTR13

ნაწილი საფონდო: 54578

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 20,

სასურველი
752091683GPTR7

752091683GPTR7

ნაწილი საფონდო: 53945

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752081222JPTR7

752081222JPTR7

ნაწილი საფონდო: 53957

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
752081222GPTR7

752081222GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54022

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
752091682GPTR7

752091682GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54026

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752083222GPTR7

752083222GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54385

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752083104JPTR7

752083104JPTR7

ნაწილი საფონდო: 54357

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752123101GPTR7

752123101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54451

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752083681GPTR7

752083681GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54452

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752103222GPTR7

752103222GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54365

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752083470GPTR7

752083470GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54372

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752243220GPTR7

752243220GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54371

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
752103220GPTR7

752103220GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54354

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752103470GPTR7

752103470GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54422

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752123222GPTR7

752123222GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54363

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752163330GPTR7

752163330GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54422

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752123330GPTR7

752123330GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54356

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752163101GPTR7

752163101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54389

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752083473JPTR7

752083473JPTR7

ნაწილი საფონდო: 54420

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752083330GPTR7

752083330GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54395

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752163470GPTR7

752163470GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54444

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752083103GPTR7

752083103GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54370

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752103102GPTR7

752103102GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54383

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752243330GPTR7

752243330GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54358

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
752123102GPTR7

752123102GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54363

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123472GPTR7

752123472GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54392

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752083471GPTR7

752083471GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54378

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752103103GPTR7

752103103GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54417

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი
752123103GPTR7

752123103GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54422

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123220GPTR7

752123220GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54361

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752083101GPTR7

752083101GPTR7

ნაწილი საფონდო: 54443

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი