Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

LZ1-10UB00-00U5
LED Engin Inc.

LZ1-10UB00-00U5

ნაწილი საფონდო: 7112

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 395nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 4.2V, Ხედვის კუთხე: 68°,

სურვილისამებრ
LZ1-00UB00-01U7
LED Engin Inc.

LZ1-00UB00-01U7

ნაწილი საფონდო: 154

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 400nm ~ 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.7V, Ხედვის კუთხე: 68°,

სურვილისამებრ
VAOL-5GUV0T4
Visual Communications Company - VCC

VAOL-5GUV0T4

ნაწილი საფონდო: 69143

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სურვილისამებრ
VAOL-3GUV0Y4
Visual Communications Company - VCC

VAOL-3GUV0Y4

ნაწილი საფონდო: 81369

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სურვილისამებრ
OD-624L
Opto Diode Corp

OD-624L

ნაწილი საფონდო: 3011

ტიპი: Visible, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 500mA, ტალღის სიგრძე: 635nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.3V, Ხედვის კუთხე: 7°,

სურვილისამებრ
OD-666
Opto Diode Corp

OD-666

ნაწილი საფონდო: 1284

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 400mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 9V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სურვილისამებრ
OD-110W
Opto Diode Corp

OD-110W

ნაწილი საფონდო: 4920

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 500mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 110°,

სურვილისამებრ
OP245A
TT Electronics/Optek Technology

OP245A

ნაწილი საფონდო: 103166

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 40°,

სურვილისამებრ
OP266AC
TT Electronics/Optek Technology

OP266AC

ნაწილი საფონდო: 72565

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 11.5mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სურვილისამებრ
LTE-R38381S-S-U
Lite-On Inc.

LTE-R38381S-S-U

ნაწილი საფონდო: 35364

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 320mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3V, Ხედვის კუთხე: 90°,

სურვილისამებრ
HSDL-4400#1L1
Lite-On Inc.

HSDL-4400#1L1

ნაწილი საფონდო: 139640

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 110°,

სურვილისამებრ
HSDL-4260
Lite-On Inc.

HSDL-4260

ნაწილი საფონდო: 156480

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 150mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 15°,

სურვილისამებრ
IR7373C
Everlight Electronics Co Ltd

IR7373C

ნაწილი საფონდო: 155837

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 5.6mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სურვილისამებრ
EAUVA35352BC5
Everlight Electronics Co Ltd

EAUVA35352BC5

ნაწილი საფონდო: 11853

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 368nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.7V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სურვილისამებრ
SIR19-315/TR8
Everlight Electronics Co Ltd

SIR19-315/TR8

ნაწილი საფონდო: 173965

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 870nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 140°,

სურვილისამებრ
MTE9460N5
Marktech Optoelectronics

MTE9460N5

ნაწილი საფონდო: 15832

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სურვილისამებრ
MT5355-UV
Marktech Optoelectronics

MT5355-UV

ნაწილი საფონდო: 2469

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, ტალღის სიგრძე: 357nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V, Ხედვის კუთხე: 30°,

სურვილისამებრ
MTE5016-015-IR
Marktech Optoelectronics

MTE5016-015-IR

ნაწილი საფონდო: 3591

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 1650nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 0.7V, Ხედვის კუთხე: 6°,

სურვილისამებრ
MTE8600W
Marktech Optoelectronics

MTE8600W

ნაწილი საფონდო: 11961

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 80mA, ტალღის სიგრძე: 856nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 64°,

სურვილისამებრ
MTE1300N
Marktech Optoelectronics

MTE1300N

ნაწილი საფონდო: 2212

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 1300nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 0.8V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სურვილისამებრ
MTE5010-015-IR
Marktech Optoelectronics

MTE5010-015-IR

ნაწილი საფონდო: 1669

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 1050nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.15V, Ხედვის კუთხე: 6°,

სურვილისამებრ
VSMB2948RG
Vishay Semiconductor Opto Division

VSMB2948RG

ნაწილი საფონდო: 139136

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სურვილისამებრ
VSMG2000X01
Vishay Semiconductor Opto Division

VSMG2000X01

ნაწილი საფონდო: 108584

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სურვილისამებრ
TSHG5510
Vishay Semiconductor Opto Division

TSHG5510

ნაწილი საფონდო: 46964

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 18mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 830nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 76°,

სურვილისამებრ
QBHP684E-UV395BS
QT Brightek (QTB)

QBHP684E-UV395BS

ნაწილი საფონდო: 10666

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 395nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სურვილისამებრ
SFH 7013
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 7013

ნაწილი საფონდო: 106650

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, 30mA, 60mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 660nm, 526nm, 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, 2.1V, 3V, Ხედვის კუთხე: 130°,

სურვილისამებრ
SFH 4580-Z
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 4580-Z

ნაწილი საფონდო: 1200

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 30°,

სურვილისამებრ
SFH 4257R
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 4257R

ნაწილი საფონდო: 91

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 6.3mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სურვილისამებრ
SFH 4258-VAW-Z
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 4258-VAW-Z

ნაწილი საფონდო: 172942

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 63mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 30°,

სურვილისამებრ
SFH 4716A
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 4716A

ნაწილი საფონდო: 41219

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1.5A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 150mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.65V, Ხედვის კუთხე: 150°,

სურვილისამებრ
SFH 4770S
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 4770S

ნაწილი საფონდო: 39022

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1.5A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 370mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.2V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სურვილისამებრ
SFH 4356P
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 4356P

ნაწილი საფონდო: 135488

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 12mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 140°,

სურვილისამებრ
SFH 4256-R
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 4256-R

ნაწილი საფონდო: 133602

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სურვილისამებრ
L1I0-0850060000000
Lumileds

L1I0-0850060000000

ნაწილი საფონდო: 38095

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1150mW/sr @ 1A (Typ), ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.2V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სურვილისამებრ
SST-10-UV-A130-F405-00
Luminus Devices Inc.

SST-10-UV-A130-F405-00

ნაწილი საფონდო: 25371

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 130°,

სურვილისამებრ
CBM-120-UV-C31-K405-21
Luminus Devices Inc.

CBM-120-UV-C31-K405-21

ნაწილი საფონდო: 379

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

სურვილისამებრ