ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

LZ1-30UV00-0000

ნაწილი საფონდო: 2110

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 365nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 4.1V, Ხედვის კუთხე: 70°,

LZ1-00UB00-01U8

ნაწილი საფონდო: 89

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 405nm ~ 410nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.9V, Ხედვის კუთხე: 68°,

MTE5014-015-IR

ნაწილი საფონდო: 1679

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 1450nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 0.8V, Ხედვის კუთხე: 6°,

MTPS8085P-C

ნაწილი საფონდო: 4077

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 5°,

MT5720-IR

ნაწილი საფონდო: 10228

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 40mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 720nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 40°,

MTE5015-525-IR

ნაწილი საფონდო: 1104

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 11mW/sr @ 100mA (Typ), ტალღის სიგრძე: 1550nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 0.85V, Ხედვის კუთხე: 40°,

MT5880-IR

ნაწილი საფონდო: 10201

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 40°,

MTE9460C2

ნაწილი საფონდო: 15772

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 120°,

SFH 4796S

ნაწილი საფონდო: 152

SFH 4713A

ნაწილი საფონდო: 54203

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 250mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.75V, Ხედვის კუთხე: 90°,

SFH 4716AS

ნაწილი საფონდო: 37376

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1.5A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 300mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.2V, Ხედვის კუთხე: 150°,

SFH 4650-UV-Z

ნაწილი საფონდო: 134849

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 40mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 30°,

SFH 4281

ნაწილი საფონდო: 1152

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 4mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 120°,

SFH 4341

ნაწილი საფონდო: 139889

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 70mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 22°,

SFH 4550-EWFW

ნაწილი საფონდო: 130429

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 630mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 6°,

SFH 4944

ნაწილი საფონდო: 21439

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 50mW/sr @ 40mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 20°,

SFH 4247-Q2R1

ნაწილი საფონდო: 1185

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 130°,

OP297C

ნაწილი საფონდო: 1193

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.75V, Ხედვის კუთხე: 20°,

OP123

ნაწილი საფონდო: 28153

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.4mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 24°,

OP216A

ნაწილი საფონდო: 19287

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.2mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,

OP265FAC

ნაწილი საფონდო: 97726

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 11.5mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 18°,

OP140D

ნაწილი საფონდო: 114474

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.1mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 40°,

SIR-320ST3FF

ნაწილი საფონდო: 86182

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 75mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 36°,

CBM-120-UV-C14-I400-21

ნაწილი საფონდო: 518

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBM-120-UV-C31-K390-21

ნაწილი საფონდო: 492

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 393nm (390nm ~ 395nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBM-120-UV-C14-J380-21

ნაწილი საფონდო: 457

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 380nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

VSLB3948

ნაწილი საფონდო: 122047

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 32mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.42V, Ხედვის კუთხე: 44°,

VLMU5200-385-140

ნაწილი საფონდო: 3349

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 513mW/sr @ 350mA, ტალღის სიგრძე: 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 14.5V, Ხედვის კუთხე: 140°,

HSDL-4420

ნაწილი საფონდო: 74032

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 9mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 24°,

SE1450-001L

ნაწილი საფონდო: 1176

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 24°,

SME2470-001

ნაწილი საფონდო: 10684

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 75mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V,

IR204/H16/L10

ნაწილი საფონდო: 175243

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2.8mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 50°,

SIR19-21C/TR8

ნაწილი საფონდო: 180553

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 65mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 145°,

IR333C/H0/L10

ნაწილი საფონდო: 155902

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 11mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 40°,

EAILP05RDGA0

ნაწილი საფონდო: 103536

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 100mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 855nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 6°,

QBHP684U-IRU

ნაწილი საფონდო: 37225

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 130°,