პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 2210, მაკროცელების რაოდენობა: 1700,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 16, მაკროცელების რაოდენობა: 256, კარიბჭეების რაოდენობა: 5000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 128, კარიბჭეების რაოდენობა: 2500,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 35, მაკროცელების რაოდენობა: 560, კარიბჭეების რაოდენობა: 12000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 32, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 10000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 4, მაკროცელების რაოდენობა: 64, კარიბჭეების რაოდენობა: 1250,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 6.2ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.71V ~ 1.89V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 1270, მაკროცელების რაოდენობა: 980,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 16, მაკროცელების რაოდენობა: 256, კარიბჭეების რაოდენობა: 5000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 9.2ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.7V ~ 1.9V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 24, მაკროცელების რაოდენობა: 384, კარიბჭეების რაოდენობა: 9000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.8ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 32, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 12000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.8ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 24, მაკროცელების რაოდენობა: 384, კარიბჭეების რაოდენობა: 9000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 9.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.7V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 24, მაკროცელების რაოდენობა: 384, კარიბჭეების რაოდენობა: 9000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.1ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.7V ~ 1.9V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 32, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 12000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 9.2ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 1.7V ~ 1.9V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 32, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 12000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 32, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 12000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 9.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.7V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 32, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 12000,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 6.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 16, მაკროცელების რაოდენობა: 288, კარიბჭეების რაოდენობა: 6400,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 16, მაკროცელების რაოდენობა: 256, კარიბჭეების რაოდენობა: 6000,
პროგრამირებადი ტიპი: EE PLD, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 8,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 3.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 24, მაკროცელების რაოდენობა: 384,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 3.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 32, მაკროცელების რაოდენობა: 512,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 8, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 5.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, ლოგიკური ელემენტების / ბლოკების რაოდენობა: 16, მაკროცელების რაოდენობა: 256,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 32,
