პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 1K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 10,
პროგრამირებადი ტიპი: OTP, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 24,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 20.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 20.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 20.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 20.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
