ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

81F182

81F182

ნაწილი საფონდო: 20079

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F15R

81F15R

ნაწილი საფონდო: 18518

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F18R2

81F18R2

ნაწილი საფონდო: 18532

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80FR402

80FR402

ნაწილი საფონდო: 19549

წინააღმდეგობა: 402 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

80FR511

80FR511

ნაწილი საფონდო: 19545

წინააღმდეგობა: 511 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81F12R1

81F12R1

ნაწილი საფონდო: 18445

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80FR499

80FR499

ნაწილი საფონდო: 19519

წინააღმდეგობა: 499 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

80FR221

80FR221

ნაწილი საფონდო: 19513

წინააღმდეგობა: 221 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

80FR301

80FR301

ნაწილი საფონდო: 19541

წინააღმდეგობა: 301 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

80FR182

80FR182

ნაწილი საფონდო: 19545

წინააღმდეგობა: 182 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

80FR162

80FR162

ნაწილი საფონდო: 19470

წინააღმდეგობა: 162 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

80FR133

80FR133

ნაწილი საფონდო: 19555

წინააღმდეგობა: 133 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

80FR121

80FR121

ნაწილი საფონდო: 19509

წინააღმდეგობა: 121 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

80F7K5

80F7K5

ნაწილი საფონდო: 22763

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F750

80F750

ნაწილი საფონდო: 27761

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F825

80F825

ნაწილი საფონდო: 27699

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F75R

80F75R

ნაწილი საფონდო: 27776

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F681

80F681

ნაწილი საფონდო: 27759

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F6R81

80F6R81

ნაწილი საფონდო: 26903

წინააღმდეგობა: 6.81 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

80F6R19

80F6R19

ნაწილი საფონდო: 26853

წინააღმდეგობა: 6.19 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

80F6K19

80F6K19

ნაწილი საფონდო: 22785

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F5R62

80F5R62

ნაწილი საფონდო: 26844

წინააღმდეგობა: 5.62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

80F5R11

80F5R11

ნაწილი საფონდო: 26834

წინააღმდეგობა: 5.11 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

80F619

80F619

ნაწილი საფონდო: 27690

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F61R9

80F61R9

ნაწილი საფონდო: 27706

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F56R2

80F56R2

ნაწილი საფონდო: 27707

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F5K11

80F5K11

ნაწილი საფონდო: 22841

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F51R1

80F51R1

ნაწილი საფონდო: 27701

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F56K2

80F56K2

ნაწილი საფონდო: 16462

წინააღმდეგობა: 56.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F5K62

80F5K62

ნაწილი საფონდო: 22827

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F4K02

80F4K02

ნაწილი საფონდო: 25890

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F4R53

80F4R53

ნაწილი საფონდო: 26881

წინააღმდეგობა: 4.53 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

80F4K53

80F4K53

ნაწილი საფონდო: 25845

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F4R02

80F4R02

ნაწილი საფონდო: 26845

წინააღმდეგობა: 4.02 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

80F49K9

80F49K9

ნაწილი საფონდო: 18347

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

80F47R5

80F47R5

ნაწილი საფონდო: 27686

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,