ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

81FR681

81FR681

ნაწილი საფონდო: 18271

წინააღმდეგობა: 681 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81FR825

81FR825

ნაწილი საფონდო: 18291

წინააღმდეგობა: 825 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

83F10K

83F10K

ნაწილი საფონდო: 19600

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

83F10K5

83F10K5

ნაწილი საფონდო: 19630

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81FR402

81FR402

ნაწილი საფონდო: 18280

წინააღმდეგობა: 402 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81FR20

81FR20

ნაწილი საფონდო: 18273

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81FR301

81FR301

ნაწილი საფონდო: 18240

წინააღმდეგობა: 301 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81FR499

81FR499

ნაწილი საფონდო: 18249

წინააღმდეგობა: 499 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81FR182

81FR182

ნაწილი საფონდო: 18312

წინააღმდეგობა: 182 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81FR15

81FR15

ნაწილი საფონდო: 18307

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81FR121

81FR121

ნაწილი საფონდო: 18306

წინააღმდეგობა: 121 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81FR10

81FR10

ნაწილი საფონდო: 18273

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

81F82R5

81F82R5

ნაწილი საფონდო: 18457

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F8R25

81F8R25

ნაწილი საფონდო: 17277

წინააღმდეგობა: 8.25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

81F681

81F681

ნაწილი საფონდო: 20118

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F825

81F825

ნაწილი საფონდო: 20047

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F5R62

81F5R62

ნაწილი საფონდო: 17223

წინააღმდეგობა: 5.62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

81F4R02

81F4R02

ნაწილი საფონდო: 17260

წინააღმდეგობა: 4.02 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

81F49R9

81F49R9

ნაწილი საფონდო: 18472

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F562

81F562

ნაწილი საფონდო: 20093

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F402

81F402

ნაწილი საფონდო: 20029

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F3R01

81F3R01

ნაწილი საფონდო: 17239

წინააღმდეგობა: 3.01 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

81F40R2

81F40R2

ნაწილი საფონდო: 18467

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F249

81F249

ნაწილი საფონდო: 20026

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F2R0

81F2R0

ნაწილი საფონდო: 17301

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

81F30R1

81F30R1

ნაწილი საფონდო: 18439

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F2K21

81F2K21

ნაწილი საფონდო: 16127

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F20R

81F20R

ნაწილი საფონდო: 18465

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F1R5

81F1R5

ნაწილი საფონდო: 17297

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

81F1R21

81F1R21

ნაწილი საფონდო: 17248

წინააღმდეგობა: 1.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

81F1R0

81F1R0

ნაწილი საფონდო: 17303

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

81F1K82

81F1K82

ნაწილი საფონდო: 16134

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F1K0

81F1K0

ნაწილი საფონდო: 16114

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F1K21

81F1K21

ნაწილი საფონდო: 16144

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F1K5

81F1K5

ნაწილი საფონდო: 16083

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

81F150

81F150

ნაწილი საფონდო: 20031

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,