ბოჭკოვანი ოპტიკა - გადამცემები - დისკრეტული

HFBR-2532ETZ

ნაწილი საფონდო: 5200

ტალღის სიგრძე: 660nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 6mA, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1521ETZ

ნაწილი საფონდო: 6240

ტალღის სიგრძე: 660nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1414MZ

ნაწილი საფონდო: 3708

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1.8V, ტევადობა: 55pF,

HFBR-1526Z

ნაწილი საფონდო: 9617

HFBR-1527ETZ

ნაწილი საფონდო: 5427

ტალღის სიგრძე: 660nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1506AFZ

ნაწილი საფონდო: 5282

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-779BEWZ

ნაწილი საფონდო: 9584

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 0.4nm, ტევადობა: 0.1µF,

HFBR-1515BFZ

ნაწილი საფონდო: 3481

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1524

ნაწილი საფონდო: 9616

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1414TZ

ნაწილი საფონდო: 3636

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1.8V, ტევადობა: 55pF,

HFBR-1505AFZ

ნაწილი საფონდო: 3572

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1522

ნაწილი საფონდო: 9539

ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.67V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-1527Z

ნაწილი საფონდო: 6179

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 80mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-14E4Z

ნაწილი საფონდო: 3328

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1.8V, ტევადობა: 55pF,

HFBR-1505C

ნაწილი საფონდო: 9616

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1541ETZ

ნაწილი საფონდო: 5239

ტალღის სიგრძე: 660nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 5V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 86pF,

HFBR-779BWZ

ნაწილი საფონდო: 9595

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 0.4nm, ტევადობა: 0.1µF,

HFBR-1515BZ

ნაწილი საფონდო: 4762

ტალღის სიგრძე: 650nm, სპექტრული გამტარობა: 21nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, ტევადობა: 60pF,

HFBR-1602Z

ნაწილი საფონდო: 3705

ტალღის სიგრძე: 655nm, სპექტრული გამტარობა: 20nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, ტევადობა: 30pF,

HFBR-1415TZ

ნაწილი საფონდო: 6011

ტალღის სიგრძე: 820nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3.8V,

PLT132

ნაწილი საფონდო: 157432

ტალღის სიგრძე: 660nm,

OPF672-1

ნაწილი საფონდო: 9607

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 35nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V (Max), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1V,

OPF345D

ნაწილი საფონდო: 9535

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 35nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1V,

OPF392B

ნაწილი საფონდო: 9534

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 35nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1V,

OPF397B

ნაწილი საფონდო: 9599

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 35nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1V,

OPF322C

ნაწილი საფონდო: 9541

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 35nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1V,

OPF693-1

ნაწილი საფონდო: 9629

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 35nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.1V (Max), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1V,

OPF342B

ნაწილი საფონდო: 9537

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 35nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1V,

OPF397C

ნაწილი საფონდო: 9556

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 35nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1V,

GP1FP514TK0F

ნაწილი საფონდო: 9594

SFH350

ნაწილი საფონდო: 9582

ტალღის სიგრძე: 850nm, სპექტრული გამტარობა: 400nm, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, ტევადობა: 21.5pF,

HFX6015-200

ნაწილი საფონდო: 9546

ტალღის სიგრძე: 350nm, სპექტრული გამტარობა: 20nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V,

LTDL-TA25A/L3

ნაწილი საფონდო: 142864

ტალღის სიგრძე: 650nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.75V ~ 5.25V,

LTDL-TA25B-T

ნაწილი საფონდო: 150353

ტალღის სიგრძე: 650nm,

LTDL-TA25B-T1

ნაწილი საფონდო: 122128

ტალღის სიგრძე: 650nm,

V940-2295-001

ნაწილი საფონდო: 32957