რეზონერები

ECS-HFR-24.00-B-TR

ECS-HFR-24.00-B-TR

ნაწილი საფონდო: 133953

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

ZTA-12.00MT

ZTA-12.00MT

ნაწილი საფონდო: 135639

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

ZTT-20.00MX

ZTT-20.00MX

ნაწილი საფონდო: 122069

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

ECS-HFR-48.00-B-TR

ECS-HFR-48.00-B-TR

ნაწილი საფონდო: 135302

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

ECS-HFR-27.00-B-TR

ECS-HFR-27.00-B-TR

ნაწილი საფონდო: 124955

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

CSTNE10M0G55Z000R0

CSTNE10M0G55Z000R0

ნაწილი საფონდო: 59

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTNE8M00GH5L000R0

CSTNE8M00GH5L000R0

ნაწილი საფონდო: 62

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.11%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

RO3101E

RO3101E

ნაწილი საფონდო: 1918

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

CSTNE8M00GH5C000R0

CSTNE8M00GH5C000R0

ნაწილი საფონდო: 97

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

RO3101

RO3101

ნაწილი საფონდო: 47934

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.037ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

CSTLS4M00G56-A0

CSTLS4M00G56-A0

ნაწილი საფონდო: 16251

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

RO3144D-1

RO3144D-1

ნაწილი საფონდო: 139

ტიპი: SAW, სიხშირე: 916.5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±150kHz,

CSTCC2M00G56-R0

CSTCC2M00G56-R0

ნაწილი საფონდო: 162980

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

CSTCR6M00G53-R0

CSTCR6M00G53-R0

ნაწილი საფონდო: 144553

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCR7M00G55Z-R0

CSTCR7M00G55Z-R0

ნაწილი საფონდო: 104

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTNE8M00G55Z000R0

CSTNE8M00G55Z000R0

ნაწილი საფონდო: 70

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTCR7M20G53-R0

CSTCR7M20G53-R0

ნაწილი საფონდო: 189286

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE8M00G55Z-R0

CSTCE8M00G55Z-R0

ნაწილი საფონდო: 176378

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTLS5M12G53-B0

CSTLS5M12G53-B0

ნაწილი საფონდო: 167916

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

RO3103A

RO3103A

ნაწილი საფონდო: 1915

ტიპი: SAW, სიხშირე: 418MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

PBRC-3.58AR

PBRC-3.58AR

ნაწილი საფონდო: 114729

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.58MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

PARS433.92K01R

PARS433.92K01R

ნაწილი საფონდო: 1918

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±200kHz,

PRQC16.00CR5010X000

PRQC16.00CR5010X000

ნაწილი საფონდო: 110367

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRC7.37HR50X000

PBRC7.37HR50X000

ნაწილი საფონდო: 160302

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PBRC8.00GR50X000

PBRC8.00GR50X000

ნაწილი საფონდო: 176399

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

PBRC4.19GR50X000

PBRC4.19GR50X000

ნაწილი საფონდო: 126384

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

PRQC12.00CR5010X000

PRQC12.00CR5010X000

ნაწილი საფონდო: 164269

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRC-15.00BR07

PBRC-15.00BR07

ნაწილი საფონდო: 105727

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 15MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.7%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

HWZT-6.00MD

HWZT-6.00MD

ნაწილი საფონდო: 156986

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

EFJ-C1695E5B

EFJ-C1695E5B

ნაწილი საფონდო: 162874

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16.93MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

FCR4.19MC5T

FCR4.19MC5T

ნაწილი საფონდო: 1915

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

FCR8.0MC5

FCR8.0MC5

ნაწილი საფონდო: 193

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 20pF,

CCR40.0MXC7T

CCR40.0MXC7T

ნაწილი საფონდო: 1876

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

FCR4.0MC5

FCR4.0MC5

ნაწილი საფონდო: 1881

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

CCR6.0MUC8T

CCR6.0MUC8T

ნაწილი საფონდო: 1890

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 27pF,

FCR6.0MC5

FCR6.0MC5

ნაწილი საფონდო: 1854

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,