ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A24R9FBHF3

9T04021A24R9FBHF3

ნაწილი საფონდო: 704

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A25R5FBHF3

9T04021A25R5FBHF3

ნაწილი საფონდო: 774

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A22R6FBHF3

9T04021A22R6FBHF3

ნაწილი საფონდო: 7422

წინააღმდეგობა: 22.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A23R7FBHF3

9T04021A23R7FBHF3

ნაწილი საფონდო: 716

წინააღმდეგობა: 23.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A23R2FBHF3

9T04021A23R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 714

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A22R1FBHF3

9T04021A22R1FBHF3

ნაწილი საფონდო: 705

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A21R5FBHF3

9T04021A21R5FBHF3

ნაწილი საფონდო: 734

წინააღმდეგობა: 21.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A20R5FBHF3

9T04021A20R5FBHF3

ნაწილი საფონდო: 766

წინააღმდეგობა: 20.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A21R0FBHF3

9T04021A21R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 739

წინააღმდეგობა: 21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A19R6FBHF3

9T04021A19R6FBHF3

ნაწილი საფონდო: 763

წინააღმდეგობა: 19.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A20R0FBHF3

9T04021A20R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 682

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A19R1FBHF3

9T04021A19R1FBHF3

ნაწილი საფონდო: 754

წინააღმდეგობა: 19.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A18R7FBHF3

9T04021A18R7FBHF3

ნაწილი საფონდო: 764

წინააღმდეგობა: 18.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A17R8FBHF3

9T04021A17R8FBHF3

ნაწილი საფონდო: 705

წინააღმდეგობა: 17.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A17R4FBHF3

9T04021A17R4FBHF3

ნაწილი საფონდო: 717

წინააღმდეგობა: 17.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A16R2FBHF3

9T04021A16R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 678

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A16R9FBHF3

9T04021A16R9FBHF3

ნაწილი საფონდო: 717

წინააღმდეგობა: 16.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A16R5FBHF3

9T04021A16R5FBHF3

ნაწილი საფონდო: 732

წინააღმდეგობა: 16.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A16R0FBHF3

9T04021A16R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 743

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A15R0FBHF3

9T04021A15R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 724

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A15R8FBHF3

9T04021A15R8FBHF3

ნაწილი საფონდო: 739

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A14R7FBHF3

9T04021A14R7FBHF3

ნაწილი საფონდო: 755

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A15R4FBHF3

9T04021A15R4FBHF3

ნაწილი საფონდო: 694

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A14R3FBHF3

9T04021A14R3FBHF3

ნაწილი საფონდო: 715

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A13R3FBHF3

9T04021A13R3FBHF3

ნაწილი საფონდო: 713

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A12R7FBHF3

9T04021A12R7FBHF3

ნაწილი საფონდო: 689

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A12R1FBHF3

9T04021A12R1FBHF3

ნაწილი საფონდო: 753

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A13R0FBHF3

9T04021A13R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 740

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A12R4FBHF3

9T04021A12R4FBHF3

ნაწილი საფონდო: 753

წინააღმდეგობა: 12.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A11R3FBHF3

9T04021A11R3FBHF3

ნაწილი საფონდო: 702

წინააღმდეგობა: 11.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A12R0FBHF3

9T04021A12R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 705

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A11R8FBHF3

9T04021A11R8FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4128

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A10R2FBHF3

9T04021A10R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 697

წინააღმდეგობა: 10.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A10R7FBHF3

9T04021A10R7FBHF3

ნაწილი საფონდო: 740

წინააღმდეგობა: 10.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A11R0FBHF3

9T04021A11R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 718

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A10R5FBHF3

9T04021A10R5FBHF3

ნაწილი საფონდო: 748

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,