ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A52R3FBHF3

9T04021A52R3FBHF3

ნაწილი საფონდო: 747

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A53R6FBHF3

9T04021A53R6FBHF3

ნაწილი საფონდო: 743

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A54R9FBHF3

9T04021A54R9FBHF3

ნაწილი საფონდო: 728

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A51R1FBHF3

9T04021A51R1FBHF3

ნაწილი საფონდო: 752

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A51R0FBHF3

9T04021A51R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 792

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A47R0FBHF3

9T04021A47R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 803

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A44R2FBHF3

9T04021A44R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 753

წინააღმდეგობა: 44.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A46R4FBHF3

9T04021A46R4FBHF3

ნაწილი საფონდო: 711

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A45R3FBHF3

9T04021A45R3FBHF3

ნაწილი საფონდო: 784

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A42R2FBHF3

9T04021A42R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 744

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A43R2FBHF3

9T04021A43R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 722

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A43R0FBHF3

9T04021A43R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 718

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A39R0FBHF3

9T04021A39R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 728

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A39R2FBHF3

9T04021A39R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 766

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A38R3FBHF3

9T04021A38R3FBHF3

ნაწილი საფონდო: 751

წინააღმდეგობა: 38.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A40R2FBHF3

9T04021A40R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 755

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A37R4FBHF3

9T04021A37R4FBHF3

ნაწილი საფონდო: 734

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A35R7FBHF3

9T04021A35R7FBHF3

ნაწილი საფონდო: 738

წინააღმდეგობა: 35.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A36R5FBHF3

9T04021A36R5FBHF3

ნაწილი საფონდო: 695

წინააღმდეგობა: 36.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A36R0FBHF3

9T04021A36R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 725

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A33R2FBHF3

9T04021A33R2FBHF3

ნაწილი საფონდო: 783

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A34R8FBHF3

9T04021A34R8FBHF3

ნაწილი საფონდო: 741

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A34R0FBHF3

9T04021A34R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 756

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A30R1FBHF3

9T04021A30R1FBHF3

ნაწილი საფონდო: 709

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A30R9FBHF3

9T04021A30R9FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4073

წინააღმდეგობა: 30.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A31R6FBHF3

9T04021A31R6FBHF3

ნაწილი საფონდო: 734

წინააღმდეგობა: 31.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A32R4FBHF3

9T04021A32R4FBHF3

ნაწილი საფონდო: 4095

წინააღმდეგობა: 32.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A29R4FBHF3

9T04021A29R4FBHF3

ნაწილი საფონდო: 739

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A28R7FBHF3

9T04021A28R7FBHF3

ნაწილი საფონდო: 767

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A28R0FBHF3

9T04021A28R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 702

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A30R0FBHF3

9T04021A30R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 739

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A27R0FBHF3

9T04021A27R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 711

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A26R1FBHF3

9T04021A26R1FBHF3

ნაწილი საფონდო: 733

წინააღმდეგობა: 26.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A26R7FBHF3

9T04021A26R7FBHF3

ნაწილი საფონდო: 772

წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A24R0FBHF3

9T04021A24R0FBHF3

ნაწილი საფონდო: 691

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

9T04021A24R3FBHF3

9T04021A24R3FBHF3

ნაწილი საფონდო: 692

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,