ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

2-2176074-3

2-2176074-3

ნაწილი საფონდო: 195994

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2176074-1

2176074-1

ნაწილი საფონდო: 122913

წინააღმდეგობა: 5.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2176074-7

2176074-7

ნაწილი საფონდო: 197174

წინააღმდეგობა: 6.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2176074-6

2176074-6

ნაწილი საფონდო: 147764

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2176074-4

2176074-4

ნაწილი საფონდო: 113072

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2176074-5

2176074-5

ნაწილი საფონდო: 153727

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2176069-9

2176069-9

ნაწილი საფონდო: 129272

წინააღმდეგობა: 196 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

2176068-1

2176068-1

ნაწილი საფონდო: 100207

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3-1614966-0

3-1614966-0

ნაწილი საფონდო: 9579

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

3-1622821-1

3-1622821-1

ნაწილი საფონდო: 9454

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3-1622821-3

3-1622821-3

ნაწილი საფონდო: 9458

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

3-1879360-5

3-1879360-5

ნაწილი საფონდო: 78985

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3-1879361-6

3-1879361-6

ნაწილი საფონდო: 78960

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3-1879357-1

3-1879357-1

ნაწილი საფონდო: 78839

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3-1879360-6

3-1879360-6

ნაწილი საფონდო: 78922

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3-1879362-9

3-1879362-9

ნაწილი საფონდო: 78854

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3-1879360-9

3-1879360-9

ნაწილი საფონდო: 78901

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3-1879361-9

3-1879361-9

ნაწილი საფონდო: 78906

წინააღმდეგობა: 14.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3-1879358-2

3-1879358-2

ნაწილი საფონდო: 78838

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3-1879357-5

3-1879357-5

ნაწილი საფონდო: 78866

წინააღმდეგობა: 165 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

3522120KFT

3522120KFT

ნაწილი საფონდო: 138471

წინააღმდეგობა: 120 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

3522130RFT

3522130RFT

ნაწილი საფონდო: 101036

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

35223K9FT

35223K9FT

ნაწილი საფონდო: 158257

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

352215RFT

352215RFT

ნაწილი საფონდო: 167634

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

352227RFT

352227RFT

ნაწილი საფონდო: 133729

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

352291KFT

352291KFT

ნაწილი საფონდო: 197626

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

3522560KFT

3522560KFT

ნაწილი საფონდო: 124327

წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

3522100RFT

3522100RFT

ნაწილი საფონდო: 128259

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

3522470RFT

3522470RFT

ნაწილი საფონდო: 169558

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

3522220KFT

3522220KFT

ნაწილი საფონდო: 165664

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

3522430RFT

3522430RFT

ნაწილი საფონდო: 155488

წინააღმდეგობა: 430 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

3522820RFT

3522820RFT

ნაწილი საფონდო: 194402

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

352233KFT

352233KFT

ნაწილი საფონდო: 118768

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

352243KFT

352243KFT

ნაწილი საფონდო: 173990

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

3522200KFT

3522200KFT

ნაწილი საფონდო: 155794

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,

352210RFT

352210RFT

ნაწილი საფონდო: 158639

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Thick Film,