ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

1-2176073-9

1-2176073-9

ნაწილი საფონდო: 141560

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

1-2176073-4

1-2176073-4

ნაწილი საფონდო: 190887

წინააღმდეგობა: 732 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

1-2176073-3

1-2176073-3

ნაწილი საფონდო: 189030

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

1-2176073-5

1-2176073-5

ნაწილი საფონდო: 149992

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

1-2176073-7

1-2176073-7

ნაწილი საფონდო: 106410

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

1-2176073-2

1-2176073-2

ნაწილი საფონდო: 188092

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

1-2176073-8

1-2176073-8

ნაწილი საფონდო: 148707

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

1-2176073-0

1-2176073-0

ნაწილი საფონდო: 184482

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

1-2176074-5

1-2176074-5

ნაწილი საფონდო: 142015

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-9

1-2176074-9

ნაწილი საფონდო: 197343

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-1

1-2176074-1

ნაწილი საფონდო: 174477

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-3

1-2176074-3

ნაწილი საფონდო: 125627

წინააღმდეგობა: 7.68 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-4

1-2176074-4

ნაწილი საფონდო: 133023

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-2

1-2176074-2

ნაწილი საფონდო: 171876

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-6

1-2176074-6

ნაწილი საფონდო: 151613

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-7

1-2176074-7

ნაწილი საფონდო: 151161

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-8

1-2176074-8

ნაწილი საფონდო: 133700

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

1-2176074-0

1-2176074-0

ნაწილი საფონდო: 136832

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2-1614971-0

2-1614971-0

ნაწილი საფონდო: 9519

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

2-1614707-7

2-1614707-7

ნაწილი საფონდო: 9561

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

2-1614707-2

2-1614707-2

ნაწილი საფონდო: 9516

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

2-1879360-7

2-1879360-7

ნაწილი საფონდო: 9504

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

2-1622821-9

2-1622821-9

ნაწილი საფონდო: 9474

წინააღმდეგობა: 68 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

2-1622821-0

2-1622821-0

ნაწილი საფონდო: 9457

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

2-1622821-3

2-1622821-3

ნაწილი საფონდო: 9476

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

2-1622821-4

2-1622821-4

ნაწილი საფონდო: 9440

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

2-1622821-2

2-1622821-2

ნაწილი საფონდო: 9424

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

2-1622821-5

2-1622821-5

ნაწილი საფონდო: 9451

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

2-1614966-0

2-1614966-0

ნაწილი საფონდო: 7317

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

2-1622821-8

2-1622821-8

ნაწილი საფონდო: 7345

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

2350 545 04323

2350 545 04323

ნაწილი საფონდო: 789

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

2312 275 19765

2312 275 19765

ნაწილი საფონდო: 5498

წინააღმდეგობა: 9.76 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2312 275 18205

2312 275 18205

ნაწილი საფონდო: 2632

წინააღმდეგობა: 8.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2312 275 16195

2312 275 16195

ნაწილი საფონდო: 5421

წინააღმდეგობა: 6.19 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2312 275 15605

2312 275 15605

ნაწილი საფონდო: 5447

წინააღმდეგობა: 5.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

2312 275 15905

2312 275 15905

ნაწილი საფონდო: 1711

წინააღმდეგობა: 5.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,