ოპტიკური სენსორები - ფოტოინტერუტერები - სლოტის ტიპ

OPB877P55

OPB877P55

ნაწილი საფონდო: 6009

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB870N55TX

OPB870N55TX

ნაწილი საფონდო: 328

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB390L11Z

OPB390L11Z

ნაწილი საფონდო: 17597

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB871N51TX

OPB871N51TX

ნაწილი საფონდო: 347

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB860P51

OPB860P51

ნაწილი საფონდო: 5987

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB390P55

OPB390P55

ნაწილი საფონდო: 6045

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB872T55TXV

OPB872T55TXV

ნაწილი საფონდო: 327

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB857

OPB857

ნაწილი საფონდო: 6015

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB852A1

OPB852A1

ნაწილი საფონდო: 36623

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB871T51

OPB871T51

ნაწილი საფონდო: 38346

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB842W51

OPB842W51

ნაწილი საფონდო: 6080

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB801W55

OPB801W55

ნაწილი საფონდო: 6003

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SX1107

EE-SX1107

ნაწილი საფონდო: 88000

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V,

EE-SA113

EE-SA113

ნაწილი საფონდო: 5994

ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SJ3-C

EE-SJ3-C

ნაწილი საფონდო: 13316

ზონდირების მანძილი: 0.134" (3.4mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

H22B5

H22B5

ნაწილი საფონდო: 6101

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Photodarlington, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 55V,

H21A4

H21A4

ნაწილი საფონდო: 6059

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 55V,

QVE11233

QVE11233

ნაწილი საფონდო: 5993

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

QVA21114

QVA21114

ნაწილი საფონდო: 6045

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

ნაწილი საფონდო: 9672

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

ნაწილი საფონდო: 5990

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Photodarlington, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

WFM80-60N321

WFM80-60N321

ნაწილი საფონდო: 106

ზონდირების მანძილი: 3.150" (80mm), ზონდირების მეთოდი: Optical Flag, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN,

WF120-40B416

WF120-40B416

ნაწილი საფონდო: 63

ზონდირების მანძილი: 4.724" (120mm), ზონდირების მეთოდი: Optical Flag, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP/NPN,

WF50-60B410

WF50-60B410

ნაწილი საფონდო: 113

ზონდირების მანძილი: 1.969" (50mm), ზონდირების მეთოდი: Optical Flag, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP/NPN,

WFM180-120P321

WFM180-120P321

ნაწილი საფონდო: 40

ზონდირების მანძილი: 7.087" (180mm), ზონდირების მეთოდი: Optical Flag, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP,

WFM180-120N311

WFM180-120N311

ნაწილი საფონდო: 53

ზონდირების მანძილი: 7.087" (180mm), ზონდირების მეთოდი: Optical Flag, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN,

WF2-40B416

WF2-40B416

ნაწილი საფონდო: 88

ზონდირების მანძილი: 0.079" (2mm), ზონდირების მეთოდი: Optical Flag, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP/NPN,

PM-F24-R

PM-F24-R

ნაწილი საფონდო: 6044

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

PM-T44P

PM-T44P

ნაწილი საფონდო: 5946

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

PM-T54

PM-T54

ნაწილი საფონდო: 6102

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA0872-T55

HOA0872-T55

ნაწილი საფონდო: 19212

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Transistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA1874-011

HOA1874-011

ნაწილი საფონდო: 9612

ზონდირების მანძილი: 0.120" (3.05mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA1873-012

HOA1873-012

ნაწილი საფონდო: 10378

ზონდირების მანძილი: 0.100" (2.54mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA0892-L55

HOA0892-L55

ნაწილი საფონდო: 7321

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Transistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA0860-P51

HOA0860-P51

ნაწილი საფონდო: 35037

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Transistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SX913P-C1J-R 0.3M

EE-SX913P-C1J-R 0.3M

ნაწილი საფონდო: 6054

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP - Open Collector,