გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.8V/µs, -3db გამტარობა: 4.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 1100V/µs, -3db გამტარობა: 600MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 5000V/µs, -3db გამტარობა: 700MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 2V/µs, -3db გამტარობა: 1.2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 0.22V/µs, -3db გამტარობა: 100kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Limiting, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, -3db გამტარობა: 1.5GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2V/µs,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 1.5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 22V/µs, -3db გამტარობა: 15MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2V/µs, -3db გამტარობა: 1.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Zero-Drift, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 1.7V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 2.7MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.06V/µs, -3db გამტარობა: 80kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Rail-to-Rail, Slew Rate: 800V/µs, -3db გამტარობა: 410MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 1.2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.6MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 3400V/µs, -3db გამტარობა: 1.35GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 275V/µs, -3db გამტარობა: 90MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 3400V/µs, -3db გამტარობა: 1.35GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 5000V/µs, -3db გამტარობა: 2.3GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1V/µs, -3db გამტარობა: 1.6MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Zero-Drift, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: RF/IF Differential, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 18000V/µs, -3db გამტარობა: 4.5GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 12.5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 20MHz, -3db გამტარობა: 20MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 300V/µs, -3db გამტარობა: 60MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Push-Pull, Rail-to-Rail, Slew Rate: 5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 2.1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 1V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Isolation, სქემების რაოდენობა: 1, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz,
