გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 120V/µs, -3db გამტარობა: 230MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 275V/µs, -3db გამტარობა: 90MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1.9MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.06V/µs, -3db გამტარობა: 80kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.8V/µs, -3db გამტარობა: 4.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 1.8V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 35V/µs, -3db გამტარობა: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 375V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 80MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1300V/µs, -3db გამტარობა: 320MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1200V/µs, -3db გამტარობა: 240MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 0.22V/µs, -3db გამტარობა: 100kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2.7V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 0.3V/µs, -3db გამტარობა: 900kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 3400V/µs, -3db გამტარობა: 1.35GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 75V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 13MHz, -3db გამტარობა: 13MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1200V/µs, -3db გამტარობა: 880MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 84V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 19MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 170V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 79.9MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, -3db გამტარობა: 700kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 12.5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 20MHz, -3db გამტარობა: 20MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 4.6V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 15.9MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 0.15V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1500V/µs, -3db გამტარობა: 250MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.5V/µs, -3db გამტარობა: 650kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Isolation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, -3db გამტარობა: 100kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.1V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 200kHz,
