ტემპერატურის სენსორები - თერმოწყობილი, ტემპერატურუ

E52-P20AY-1 D=4.6 2M

E52-P20AY-1 D=4.6 2M

ნაწილი საფონდო: 150

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 450°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 6.562' (2m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-THE5A-0/100C

E52-THE5A-0/100C

ნაწილი საფონდო: 999

ელემენტის ტიპი: Thermistor, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0°C ~ 100°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-CA15AY D=1 NETU 4M

E52-CA15AY D=1 NETU 4M

ნაწილი საფონდო: 576

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 900°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 13.123' (4m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-CA6AFD1S1 1M

E52-CA6AFD1S1 1M

ნაწილი საფონდო: 73

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0°C ~ 650°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-CA10ASY 2M

E52-CA10ASY 2M

ნაწილი საფონდო: 419

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 400°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 6.562' (2m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-CA75C-N D=8

E52-CA75C-N D=8

ნაწილი საფონდო: 174

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 400°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

E52-P15AY D=3.2 1M

E52-P15AY D=3.2 1M

ნაწილი საფონდო: 321

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 450°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-P20B-N D=8

E52-P20B-N D=8

ნაწილი საფონდო: 334

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 450°C, კონდუქტორის ტიპი: 3 Conductor System, ტერმინალის ტიპი: Exposed Terminals,

E52-P20C-N D=6.4

E52-P20C-N D=6.4

ნაწილი საფონდო: 194

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 400°C, კონდუქტორის ტიპი: 3 Conductor System, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

E52-P20AY D=3.2 4M

E52-P20AY D=3.2 4M

ნაწილი საფონდო: 220

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 450°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 13.123' (4m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-CA50C-N D=4.8

E52-CA50C-N D=4.8

ნაწილი საფონდო: 320

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 900°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

E52-THE5A-50/150C

E52-THE5A-50/150C

ნაწილი საფონდო: 800

ელემენტის ტიპი: Thermistor, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -50°C ~ 150°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-IC15AY D=1.6 1M

E52-IC15AY D=1.6 1M

ნაწილი საფონდო: 393

ელემენტის ტიპი: J - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 350°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-P15AY D=3.2 8M

E52-P15AY D=3.2 8M

ნაწილი საფონდო: 234

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 450°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 26.247' (8m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-P15AY D=3.2 4M

E52-P15AY D=3.2 4M

ნაწილი საფონდო: 211

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 450°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 13.123' (4m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-CA20B-N D=6.4

E52-CA20B-N D=6.4

ნაწილი საფონდო: 335

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 400°C, კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Terminals,

E52-CA20C-N D=3.2

E52-CA20C-N D=3.2

ნაწილი საფონდო: 361

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 400°C, კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

E52-P10AEY 4M

E52-P10AEY 4M

ნაწილი საფონდო: 319

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 250°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 13.123' (4m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-IC6D-N 1M

E52-IC6D-N 1M

ნაწილი საფონდო: 643

ელემენტის ტიპი: J - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 350°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-THE6D-50/150C

E52-THE6D-50/150C

ნაწილი საფონდო: 498

ელემენტის ტიპი: Thermistor, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -50°C ~ 150°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 3.281' (1m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-CA12AYD1S2 2M

E52-CA12AYD1S2 2M

ნაწილი საფონდო: 98

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0°C ~ 650°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 6.562' (2m), კონდუქტორის ტიპი: Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-CA1DY W1/4 2M

E52-CA1DY W1/4 2M

ნაწილი საფონდო: 557

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 400°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 6.562' (2m), კონდუქტორის ტიპი: Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

E52-P20C-N D=8

E52-P20C-N D=8

ნაწილი საფონდო: 354

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 400°C, კონდუქტორის ტიპი: 3 Conductor System, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

E52-CA15AYD16 2M

E52-CA15AYD16 2M

ნაწილი საფონდო: 447

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 400°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 6.562' (2m), კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Exposed Lead Wires,

IWTTUJ200A

IWTTUJ200A

ნაწილი საფონდო: 21

ელემენტის ტიპი: J - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 1200°C, კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

ITTUJ300A

ITTUJ300A

ნაწილი საფონდო: 92

ელემენტის ტიპი: J - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 1200°C, კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

ITTUP200A

ITTUP200A

ნაწილი საფონდო: 112

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 850°C, კონდუქტორის ტიპი: 3 Conductor System, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

IWTTK150A

IWTTK150A

ნაწილი საფონდო: 47

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 1350°C, კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

ITTK300A

ITTK300A

ნაწილი საფონდო: 14

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 1350°C, კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

IWTTUP100A

IWTTUP100A

ნაწილი საფონდო: 106

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 850°C, კონდუქტორის ტიპი: 3 Conductor System, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

ITTJ400A

ITTJ400A

ნაწილი საფონდო: 36

ელემენტის ტიპი: J - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 1200°C, კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

IWTTJ200A

IWTTJ200A

ნაწილი საფონდო: 38

ელემენტის ტიპი: J - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: 0 ~ 1200°C, კონდუქტორის ტიპი: Non-Grounded, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

IWTTUP150A

IWTTUP150A

ნაწილი საფონდო: 98

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 850°C, კონდუქტორის ტიპი: 3 Conductor System, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

IWTTP300A

IWTTP300A

ნაწილი საფონდო: 95

ელემენტის ტიპი: Pt100, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -200°C ~ 850°C, კონდუქტორის ტიპი: 3 Conductor System, ტერმინალის ტიპი: Enclosed Terminals,

MNS2-9-W1-TS-TC-HW

MNS2-9-W1-TS-TC-HW

ნაწილი საფონდო: 40

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -100°C ~ 400°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 72" (1.83m),

MNS2-9-W2-TS-TC-HW

MNS2-9-W2-TS-TC-HW

ნაწილი საფონდო: 96

ელემენტის ტიპი: K - Type, Ტემპერატურის დიაპაზონი: -100°C ~ 400°C, სიგრძე - ტყვიის მავთული: 72" (1.83m),