გამოსახულების სენსორები, კამერა

EKL3104

ნაწილი საფონდო: 8829

ტიპი: CCD, აქტიური Pixel მასივი: 160H x 120V, ჩარჩოები წამში: 20, ძაბვა - მიწოდება: 17.1V ~ 25.2V,

KAI-4021-ABA-CR-BA

ნაწილი საფონდო: 125

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 7.4µm x 7.4µm, აქტიური Pixel მასივი: 2048H x 2048V, ჩარჩოები წამში: 16, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 34-CDIP Module,

NOII5SC1300A-QDC

ნაწილი საფონდო: 8733

ტიპი: CMOS, პიქსელის ზომა: 6.7µm x 6.7µm, აქტიური Pixel მასივი: 1280H x 1024V, ჩარჩოები წამში: 27, ძაბვა - მიწოდება: 3V ~ 4.5V, პაკეტი / კორპუსი: 84-LCC,

KAI-08051-ABA-JP-BA

ნაწილი საფონდო: 8744

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.5µm x 5.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 3296H x 2472V, ჩარჩოები წამში: 16, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 67-BCPGA,

KAF-3200-ABA-CD-B2

ნაწილი საფონდო: 86

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 6.8µm x 6.8µm, აქტიური Pixel მასივი: 2184H x 1472V, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.25V, პაკეტი / კორპუსი: 24-CDIP Module,

KAI-08670-AXA-JD-B1

ნაწილი საფონდო: 94

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 7.4µm x 7.4µm, აქტიური Pixel მასივი: 3600H x 2400V, ჩარჩოები წამში: 12, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 72-BCPGA,

KAI-2001-AAA-CR-BA

ნაწილი საფონდო: 8754

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 7.4µm x 7.4µm, აქტიური Pixel მასივი: 1600H x 1200V, ჩარჩოები წამში: 15, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 32-CDIP Module,

NOIP1SE012KA-GTI

ნაწილი საფონდო: 9947

ტიპი: CMOS, პიქსელის ზომა: 4.5µm x 4.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 4096H x 3072V, ჩარჩოები წამში: 160, ძაბვა - მიწოდება: 1.7V ~ 1.9V, 3.2V ~ 3.4V, პაკეტი / კორპუსი: 355-BSPGA, Window,

KAF-8300-AXC-CB-AA

ნაწილი საფონდო: 174

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.4µm x 5.4µm, აქტიური Pixel მასივი: 3326H x 2504V, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 32-CDIP Module,

KAI-08052-FBA-JD-BA

ნაწილი საფონდო: 157

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.5µm x 5.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 3296H x 2472V, ჩარჩოები წამში: 16, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V,

KAI-0373-ABA-CB-BA

ნაწილი საფონდო: 146

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 11.6µm x 13.6µm, აქტიური Pixel მასივი: 768H x 484V, ჩარჩოები წამში: 30, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 24-CDIP Module,

KAI-02050-FBA-FD-BA

ნაწილი საფონდო: 166

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.5µm x 5.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 1600H x 1200V, ჩარჩოები წამში: 68, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 64-BCQFN,

KAI-29050-FXA-JD-B1

ნაწილი საფონდო: 65

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.5µm x 5.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 6576H x 4408V, ჩარჩოები წამში: 1, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 71-BCPGA,

KAI-0340-AAA-CF-AA-DUAL

ნაწილი საფონდო: 284

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 7.4µm x 7.4µm, აქტიური Pixel მასივი: 640H x 480V, ჩარჩოები წამში: 210, ძაბვა - მიწოდება: 14.75V ~ 15.25V, პაკეტი / კორპუსი: 22-CDIP Module,

KAF-50100-ABA-JP-BA

ნაწილი საფონდო: 115

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 6µm x 6µm, აქტიური Pixel მასივი: 8176H x 6132V, ჩარჩოები წამში: 8, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: Module,

MT9D112D00STCK15AC1-200

ნაწილი საფონდო: 8802

KAI-08051-AXA-JP-BA

ნაწილი საფონდო: 168

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.5µm x 5.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 3296H x 2472V, ჩარჩოები წამში: 16, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 68-BPGA,

NOIP1FN025KA-GDI

ნაწილი საფონდო: 55

KAF-8300-AXC-CD-AA

ნაწილი საფონდო: 190

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.4µm x 5.4µm, აქტიური Pixel მასივი: 3326H x 2504V, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 32-CDIP Module,

MT9T111D00STCK26AC1-200

ნაწილი საფონდო: 8826

MT9P004EBMSTC-DP

ნაწილი საფონდო: 9915

NOIV1SN012KA-GDI

ნაწილი საფონდო: 125

ტიპი: CMOS, პიქსელის ზომა: 4.5µm x 4.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 4096H x 4096V, ჩარჩოები წამში: 80, ძაბვა - მიწოდება: 1.8V ~ 3.3V, პაკეტი / კორპუსი: 355-BSPGA, Window,

KAI-01150-ABA-JD-BA

ნაწილი საფონდო: 419

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.5µm x 5.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 1280H x 720V, ჩარჩოები წამში: 138, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 67-BCPGA,

KAI-16050-AXA-JD-B2

ნაწილი საფონდო: 80

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.5µm x 5.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 4896H x 3264V, ჩარჩოები წამში: 2, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 71-BCPGA,

KAI-16070-QXA-JD-B1

ნაწილი საფონდო: 55

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 7.4µm x 7.4µm, აქტიური Pixel მასივი: 4864H x 3232V, ჩარჩოები წამში: 2, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 71-BCPGA,

KAF-0402-AAA-CP-B1

ნაწილი საფონდო: 229

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 9µm x 9µm, აქტიური Pixel მასივი: 768H x 512V, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 24-CDIP Module,

NOIP1SN010KA-GDI

ნაწილი საფონდო: 160

KAI-29050-QXA-JD-B1

ნაწილი საფონდო: 76

ტიპი: CCD, პიქსელის ზომა: 5.5µm x 5.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 6576H x 4408V, ჩარჩოები წამში: 1, ძაბვა - მიწოდება: 14.5V ~ 15.5V, პაკეტი / კორპუსი: 71-BCPGA,

OV02680-H47A

ნაწილი საფონდო: 74191

ტიპი: CMOS, პიქსელის ზომა: 1.75µm x 1.75µm, აქტიური Pixel მასივი: 1616H x 1216V, ჩარჩოები წამში: 30, ძაბვა - მიწოდება: 1.5V ~ 3.1V, პაკეტი / კორპუსი: Module,

OV07960-E62N

ნაწილი საფონდო: 8784

ტიპი: CMOS with Processor, პიქსელის ზომა: 6µm x 6µm, აქტიური Pixel მასივი: 656H x 492V, ჩარჩოები წამში: 60, ძაბვა - მიწოდება: 3.3V, პაკეტი / კორპუსი: Module,

OV10810-N91A

ნაწილი საფონდო: 8842

ტიპი: CMOS with Processor, პიქსელის ზომა: 1.4µm x 1.4µm, აქტიური Pixel მასივი: 4320H x 2430V, ჩარჩოები წამში: 30, ძაბვა - მიწოდება: 2.8V,

OV00620-B64G

ნაწილი საფონდო: 4792

ტიპი: CMOS, პაკეტი / კორპუსი: Module,

OVP2200-MAAA-TA

ნაწილი საფონდო: 1616

ტიპი: CMOS with Processor, პიქსელის ზომა: 4.5µm x 4.5µm, აქტიური Pixel მასივი: 1280H x 720V, ჩარჩოები წამში: 60, ძაბვა - მიწოდება: 1.8V, 3.3V,

DR2X8K7_B&W_V4

ნაწილი საფონდო: 120

პაკეტი / კორპუსი: Module,

NE2D_B&W_V120F2.8_2M

ნაწილი საფონდო: 126

პიქსელის ზომა: 3µm x 3µm, აქტიური Pixel მასივი: 250H x 250V, ჩარჩოები წამში: 55, ძაბვა - მიწოდება: 1.8V ~ 2.4V, პაკეტი / კორპუსი: Module,

TC341-30

ნაწილი საფონდო: 8838

ტიპი: CCD, აქტიური Pixel მასივი: 780H x 488V, ძაბვა - მიწოდება: 12V, პაკეტი / კორპუსი: 22-CDIP (0.694", 17.65mm) Window,