ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 60V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 330pF @ 40V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.8W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOP |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |